技术文章
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你认为目前硅片短缺的原因是什么？你认为是新冠肺炎推动了个人电脑需求的增长吗？或者你会举出晶圆厂劳动力中断、乌克兰战争造成的氖气短缺、俄罗斯被禁止出口的钯短缺，还是物联网产品的指数增长... 选择合适的 Wolfspeed 设计工具 2022-8-31
电力电子系统设计是一个复杂的工程问题。传统上，克服相关挑战需要主题专家进行耗时的分析。幸运的是，工程师们可选择各种现代工具，显著加快设计过程并优化结果。这些工具涵盖软件模拟工具（如 ... Wolfspeed提供ECAD符号、封装图和3D模型 2022-8-29
碳化硅（SiC）技术带来了更低导通损耗、更快开关频率、更高工作温度、更佳稳健性和总体可靠性，因此在许多应用中迅速取代了传统硅（Si）元件。Wolfspeed 可为功率系统中迫切需要的 SiC 器件和射频... GaN HEMT 大信号模型 2022-8-24
GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8 W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态电流。 更快的反馈改进了VCSEL生产 2022-8-23
为了满足这种不断增长的需求，基于GaAs的VCSEL制造商已经转向了更大的晶圆尺寸——此举除了增加产量之外，还满足了降低每个器件成本的需求。早在1994年，全球领先的外延片供应商IQE就签署了其第一... 高亮度、高调制带宽的深紫外Micro-LED阵列 2022-8-22
紫外日盲通信具有抗干扰能力好、保密性强、非视距传播的特点，被广泛应用在军事、抢险救灾等领域。AlGaN基深紫外Micro-LED具有小型化、高效率、易集成、高调制带宽等诸多独特优势，是实现日盲通信... GaN是否具有可靠性？或者说我们能否如此提问？ 2022-8-18
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠... 优化氧化镓的生长 2022-8-16
电力是我们所有能源中最重要的，其全球消耗量在未来几十年肯定会上升。因此，为了拯救地球，利用可再生能源发电，并尽可能高效地利用这一宝贵的资源是至关重要的。 Ga2O3肖特基势垒二极管热阻的微调 2022-8-15
Ga2O3功率器件的致命弱点是散热不良，这归因于这种氧化物的低导热性。但中国南京大学的一个团队表示，这种缺点可以通过大幅减薄衬底来消除，从而实现破纪录的功率转换效率。 立方砷化硼是一种完美的半导体？ 2022-8-15
研究人员通过实验发现，立方砷化硼晶体为电子和空穴提供了高载流子迁移率——半导体材料中电荷的两种携带方式——这表明下一代电子学取得了重大进展。 走向8英寸碳化硅 2022-8-9
实现碳中和的目标已成全球共识。我们正在采取许多措施来改变我们的全球能源系统，包括大幅减少对化石燃料的依赖。采用由碳化硅等宽带隙半导体提供几乎没有损耗的节能器件，为实现净零碳排放创造一... 碳化硅晶圆成功的秘诀 2022-8-8
我们今天使用的几乎所有设备都依赖于半导体。新的技术进步要求碳化硅（SiC）必须用于许多要求苛刻的半导体应用。由于其物理和电子特性，SiC基器件非常适合高温和高功率/高频电子器件，从而推动了... Wolfspeed 模块产品组合如何服务于整个功率范围 2022-8-1
Wolfspeed 升级后的功率�？椴纷楹峡赏ü幸当曜挤庾笆迪忠韵掠攀疲号渲每煞裼诙嘀钟τ�，同时通过行业标准封装和高功率模块中的封装优化，在与低功率、基于分立方案的应用之间架起了桥梁，涵... 超结碳化硅器件 2022-8-1
整个电力电子行业都在进行碳化硅活动。毫无疑问，SiC器件的介电击穿场强是硅的十倍，电子饱和速度是现任器件的两倍，带隙的三倍，热导率是硅的三倍。所有高功率应用都受益于这些特性，如图1所示，... 钙钛矿PV有30年寿命？ 2022-7-29
普林斯顿工程研究人员开发了第一个具有商业可行性寿命的钙钛矿太阳能电池，这标志着新兴可再生能源技术的一个重大里程碑。据称，该器件是同类器件中第一款性能可与硅基电池匹敌的器件，自1954年推... 酸性氨热生长预示着更廉价的氮化镓衬底 2022-7-28
日本的一个团队使用了使用酸性矿化剂的大型高压釜，提高了产能效率，氨热法的局限性很快就会得到解决。 高功率应用的可扩展性设计 2022-7-25
相较于传统的硅（Si）器件，碳化硅（SiC）拥有诸多优势，涵盖了广泛的功率水平和应用。凭借 SiC 器件更高的工作温度、更快的开关速度、更高的功率密度和更高的电压/电流能力，SiC 器件可轻松替换... 借助 SpeedFit 设计仿真软件缩短比较分析的时间 2022-7-23
相较于基于硅（Si）或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）之类的传统技术，碳化硅（SiC）元件拥有明显的优点，因此很多应用都能从运用 SiC 器件中获益。但是使用 SiC 器件进行参数设计并不是一个很简单的... 提升 RF 功率放大器的脉冲保真度 2022-7-23
雷达系统设计师最梦寐以求的目标是获得远距离、高分辨率探测能力，以鉴别互相靠近的物体，不仅能够确定目标速度，还可分辨目标类型，从而识别目标。 超越MOCVD 2022-7-22
今天的商用VCSEL是使用MOCVD制造的，其基于GaAs或InGaAs有源区，并倾向于分别在850 nm或940 nm左右发射。但是，这种成熟的生长技术在III-V光学器件的生产中占主导地位，不一定是生产以含少量氮的...
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