技术文章
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电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。 扩展5G和6G的III-V技术 2025-2-13
将GaN HEMT和InP HBT升级到硅平台并将其与CMOS组件集成，可满足下一代高容量无线通信的要求 双势垒阳极结构实现0.36 V导通电压时10 kV击穿电压... 2025-1-13
氮化镓（GaN）功率电子器件，如横向AlGaN/GaN肖特基势垒二极管（SBD），受到了重视。许多研究致力于优化器件的击穿电压（BV），特别关注实现超高电压（>10 kV）应用。然而，另一个重要问题出现了... 如何整合硅和III-V族 2025-1-6
主流半导体行业正继续朝着同一方向发展。一如既往，重点是硅晶体管的微型化。 微射流激光切割GaN晶体的研究 2025-1-6
国内GaN晶体的切片研究较少，传统材料切片采用金刚线切割工艺或金刚石砂轮刀片锯切，切割损耗大且材料表面损伤严重。 Ga₂O₃：提高栅极介电性能 2025-1-3
HfSiOx退火膜具备形成高质量介电材料的关键属性，用于β-Ga2O3器件中的栅极介电层 在N极性GaN上实现低接触电阻 2025-1-3
液态镓与氮自由基之间的表面反应有望为垂直GaN器件提供优越的接触 GaN VCSELs：生产流程的精细化 2025-1-3
腔体厚度的优越控制增强了对发射波长的精控能力 超宽禁带半导体材料与器件研究进展 2025-1-3
以氧化镓、金刚石和氮化铝为代表的超宽禁带半导体是继硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅之后的第四代半导体材料，已被公认是推动微电子技术继续高速发展的关键技术 硅光子集成芯片技术和产业化进展 2025-1-3
近日，中国科研团队成功开发出可批量制造的新型“光学硅”芯片引发了业界高度关注，团队联合开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法 应用AlN的极端温度器件 2025-1-3
具有AlN沟道的二极管和晶体管具有高击穿电压特性，可在极高温度下工作 一种削减成本的合理方法 2025-1-3
利用声能有望在宽禁带功率电力电子产品的生产过程中实现衬底的重复使用 SiC超结的一种卓越工艺 2025-1-3
多轮超高能注入和外延生长能够让SiC超结器件阻断数千伏电压 多维功率器件 2025-1-3
推进电力电子技术的发展不仅与新材料有关。架构真的很重要，超级结、多沟道和多栅极等为功率器件的革命性变革提供了机会。 扩展高速VCSEL的应用范围 2025-1-2
包含双孔径的单模氧化物VCSEL可以在1公里链路上以近100 Gbit/s的速度传输数据 “万能离子刀”技术为8英寸SiC提供低成本方案 2025-1-2
近日，上海微系统所异质集成XOI课题组自主研发了基于“万能离子刀”的碳化硅（SiC）复合衬底制造技术，SiC晶圆尺寸最大达到8英寸 加深对沟槽后修复工作的理解 2025-1-2
深入研究在制造基于沟槽的GaN-on-GaN功率器件期间湿法刻蚀的影响 低温热氧化与自对准刻蚀工艺结合制备了8.7A@2V/70... 2025-1-2
来自中国科学技术大学的团队和中国电子科技集团公司第十三研究所的团队合作研究发现氧退火工艺具有降低表面粗糙度和位错密度的作用 氮化镓毫米波功率器件与电路研究进展 2025-1-2
氮化镓毫米波功放具有工作频率高、输出功率大、功率转换效率高等优势，在新一代移动通信、高分辨毫米波成像雷达等领域具有广阔的应用前景。 AI开启半导体行业新纪元 2025-1-2
近日，一家领先的半导体公司成功开发了一种新型SiC功率器件，这种器件利用了先进的AI算法来优化其性能和效率
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