技术文章
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Mini LED是LED屏幕的一种，其芯片尺寸介于50-200μm之间，是LED微缩化和矩阵化后的技术产物。Mini LED的画面表现及性能要优于传统LED，比OLED更省电且支持精确调光，比Micro LED良品率更高，成本... 新型VCSEL加速光网络 2022-7-18
缩小的硅晶体管带来了机遇和挑战。从好的方面看，缩小的尺寸可以使更多的晶体管封装到集成电路中，而不会增加成本，从而提高计算能力。然而，成功可能取决于引入新的器件架构，以防止漏电电流失控... 新型VCSEL加速光网络 2022-7-15
缩小的硅晶体管带来了机遇和挑战。从好的方面看，缩小的尺寸可以使更多的晶体管封装到集成电路中，而不会增加成本，从而提高计算能力。然而，成功可能取决于引入新的器件架构，以防止漏电电流失控... GaN RF 器件对太空任务足够可靠吗？ 2022-7-13
对内在和外在可靠性、机械完整性和辐射硬度等方面的担忧, 是否会影响 GaN HEMT 被部署在漫长的卫星任务中的机会？ 使暗淡半导体发光 2022-7-13
固体能否发光，例如LED，取决于其晶格中电子的能级。奥尔登堡大学物理学家Hangyong Shan和christian Schneider领导的一个国际研究团队成功地操纵了半导体WSe2超薄2D样品中的能级，使这种通常具有... 高压Ga2O3晶体管超过硅极限... 2022-7-12
美国的一项合作声称为Ga2O3功率晶体管设定了新的基准。犹他大学、布法罗大学、Agnitron Technology和UCSB之间的合作伙伴表示，其MESFET是第一个击穿电压超过4 kV的Ga2O3晶... 效率超95% 英诺赛科推出支持PD3.1的140W高效氮化镓... 2022-7-12
PD 3.1协议快充标准增加了28V、36V、48V三组固定电压档位，最大功率提升至240W。随着苹果支持PD3.1协议的140W笔记本快充充电器的率先发布，市场上对140W快充的呼声随之高涨，并且对效率、功率密度... 高效且通用的串联薄膜光伏 2022-7-11
卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）的研究人员与欧盟资助的PERCISTAND项目的合作伙伴合作，生产出了钙钛矿/CIS串联太阳能电池，效率接近25%，这是迄今为止该技术实现的最高价值。 UVC激光器提供连续波发射 2022-7-7
一个来自日本的研究团队声称已经制造出第一个在UVC中提供连续波发射的激光二极管，UVC的光谱范围为280 nm至200 nm。 机器能做这项工作吗？ 2022-7-6
开发新的薄半导体材料需要对大量反射高能电子衍射（RHEED）数据进行定量分析，这既耗时又需要专业知识。为了解决这个问题，东京理工大学的科学家已经确定了可以帮助RHEED数据分析自动化的机器学习... 如何清晰解读 Wolfspeed SiC 数据手册重要细节 2022-7-4
在设计选择过程中，通�；嵩谘⌒椭翱焖俨榭词菔植岷陀没е改�。然而，根据应用场合的不同，更详细地研究其中的一些特性可能会使设计人员有更清晰的认识。 破解SiC、GaN栅极动态测试难题的魔法棒 — 光隔离... 2022-7-4
SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性，能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。但同时，SiC、GaN极快的开关速度也给工程师带来了使用... 研究人员提高了量子点QD颜色转换性能 2022-7-1
一个中国研究团队开发了钙钛矿型量子点微阵列，其具有量子点颜色转换（QDCC）应用的潜力，包括光电子集成、micro-LED和近场显示。该团队于2022年5月31日在《纳米研究》杂志上发表了他们的发现。 NREL项目提高了钙钛矿稳定性 2022-6-30
美国能源部国家可再生能源实验室（NREL）的科学家展示了一种锡铅钙钛矿电池，该电池克服了稳定性问题，提高了效率。这种新电池采用两层钙钛矿串联设计，效率为25.5%。 利用机器学习实现半导体研究自动化 2022-6-29
东京理科大学的科学家们找出了可以帮助实现RHEED数据分析自动化的机器学习技术。他们的这一发现可以极大地加速半导体研究，并为更快、更节能的电子器件铺平道路。 新型结构显示出光催化剂的前景 2022-6-29
在《ACS应用纳米材料》杂志上发表的一项合作研究中，由东京理工大学（东京理工大学）的Tso Fu Mark Chang和Chun Yi Chen以及台湾国立阳明交通大学（National Yang Ming Chiao Tung University）的... 优化GaN晶体生长 2022-6-27
来自日本的工程师通过将生长转移到非常高的温度，改善了用氧气相外延法生产的GaN晶体的质量。他们的成功扩展了氧气相外延技术（OVPE）的前景，与现有的HPVE相比，OVPE具有一些优势。 用纳米线激光器产生扩展的波长 2022-6-24
纳米线激光器已在多种材料中得到证实，如III-V和II-VI化合物半导体以及钙钛矿。在纳米线中引入量子阱和量子点可以进一步降低激光阈值，提高纳米线激光器的温度稳定性。 SiC 动态表征和测量方法 2022-6-22
碳化硅（SiC）技术为电源、电动汽车和充电、大功率工业设备、太阳能应用和数据中心等多个行业显著提高了功率传输和管理性能。本文将详细阐述 KIT-CRD-CIL12N-FMA 评估套件，特别是动态表征，以及... SiC晶体生长进入电阻炉时代 2022-6-20
2022年6月恒普科技推出新一代2.0版SIC电阻晶体生长炉，本次量产推出的炉型是基于恒普上一代6、8英寸电阻炉的全新版本，积极对应市场对SIC电阻晶体生长炉的行业需求。
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