研发报告
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展现了英特尔全球领先的制程工艺创新力和领导力。这次活动上，英特尔也披露了正在推进的前沿技术研发项目，从而以不断的突破和创新，继续引领半导体产业的发展。 美国大学研究脑力控制无人机：以脑电波通讯 2017-10-25
美国大学研究脑力控制无人机：以脑电波通讯 高介电质材料的二维版本赋予芯片崭新的未来 2017-9-4
高介电质材料的二维版本赋予芯片崭新的未来 下一代 5nm 2D材料可望突破摩尔定律限制 2017-7-25
下一代 5nm 2D材料可望突破摩尔定律限制 imec 研发出用于200mm/8英吋硅晶圆的200V和650V 无... 2017-6-14
imec 研发出用于200mm/8英吋硅晶圆的200V和650V 无分散常闭型/增强型电源组件 IMEC 首次展示了小于10奈米锗的周围匣极装置 2017-6-9
IMEC 首次展示了小于10奈米锗的周围匣极装置 比利时微电子研究中心展示了突破性的CMOS兼容铁电... 2017-6-8
比利时微电子研究中心展示了突破性的CMOS兼容铁电内存 三种芯片材料助量子处理装置向实际应用跨出一大步... 2017-5-25
三种芯片材料助量子处理装置向实际应用跨出一大步 澳洲科学家成功开发出“芯片大脑” 2017-5-18
澳洲科学家成功开发出“芯片大脑” 美国科研人员实现 1nm 制程工艺 2017-5-9
美国科研人员实现 1nm 制程工艺 石墨烯新型传感器效能更胜传统触控 2017-4-20
石墨烯新型传感器效能更胜传统触控 高性能氧化铱/铂纳米锥复合镀层提高神经电极电刺激... 2017-4-18
高性能氧化铱/铂纳米锥复合镀层提高神经电极电刺激性能 台湾清华大学研发“磷电池”让手机续航增7倍 2017-4-13
台湾清华大学研发“磷电池”让手机续航增7倍 北大课题组：高性能二维半导体新材料展现出优异性... 2017-4-11
高迁移率二维半导体的器件加工与传统微电子工艺兼容更好，同时其超薄平面结构可有效抑制短沟道效应，被认为是构筑后硅时代纳电子器件和数字集成电路的理想沟道材料 延续摩尔定律？MIT研发出了新型芯片技术 2017-3-30
延续摩尔定律？MIT研发出了新型芯片技术 美团队研发高效深紫外LED，创业界最低波长纪录 2017-3-7
美团队研发高效深紫外LED，创业界最低波长纪录 剑桥大学研究人员发现LED光可激发相邻LED的量子点... 2017-3-6
剑桥大学研究人员发现LED光可激发相邻LED的量子点 降低栅极中陷阱的密度 2017-2-23
低温退火能降低新一代MOSFET栅极界面陷阱的密度。来自中国的一个工程团队宣称，他们已经制备出了具有最低界面陷阱密度的Al2O3 和InP薄膜堆叠结构 采用量子点-阱组合结构来增加绿光LED的效率 2017-2-23
采用量子点-阱组合结构来增加绿光LED的效率 “黑科技”纳米LED阵列可实现发光和感光双重功能 2017-2-16
“黑科技”纳米LED阵列可实现发光和感光双重功能
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