imec 研发出用于200mm/8英吋硅晶圆的200V和650V 无分散常闭型/增强型电源组件
比利时微电子研究中心（imec）领先全球研发出用于200mm/8英吋硅晶圆的200V和650V 无分散常闭型/增强型电源组件
鲁汶 – 2017年6月13 – 奈米电子与数字科技领域的全球研究与创新先驱 ─ 比利时微电子研究中心（Imec），今天宣布他们已研发出用于200mm/8英吋硅上氮化镓(GaN-on-Silicon)晶圆的200V和650V 无分散常闭型/增强型 (e-mode)电源组件，达到了非常低的动态Ron分散（低于20％）和最先进的性能及再生性，压力测试也显示出良好的组件可靠性，比利时微电子研究中心的技术已经准备好进行原型设计、客制化微量生产及技术转移。
氮化镓技术提供比硅（Si）具有较高崩溃电压和较低导通电阻的较快速开关电源组件，使其成为先进电子组件的理想材料，比利时微电子研究中心的硅上氮化镓组件技术无金并符合硅晶圆厂加工的晶圆处理和污染要求，氮化镓组件结构的一个关键组件是缓冲层，必须要适应氮化铝镓/氮化镓(AlGaN/GaN)材料系统和硅基板之间的晶格参数及热膨胀系数的巨大差异，比利时微电子研究中心在缓冲设计方面取得了突破性发展（专利申请中），能够在大直径200mm晶圆上发展高达650伏的缓冲器，这结合了硅基板厚度和掺杂的选择，将氮化镓基板产量提高到200mm，达到竞争水平，能够生产低成本的氮化镓电源组件，此外，也已优化了清洁和介电沉积条件，和广泛研究了场板设计（用于达到性能改进的常用技术），因此，在25℃至150℃的全温度范围内，组件表现出低于20％直达650 V的动态Ron 分散，这意味着晶体管从关闭状态切换到接通状态几乎没有变化，而这是典型的氮化镓技术挑战。
比利时微电子研究中心的氮化镓技术计划总监Stefaan Decoutere表示：「在大直径基板（200mm / 8英寸）上首度开创了硅上氮化镓电源组件技术的发展，透过原型设计、微量生产及技术转移，比利时微电子研究中心现在能提供其他公司使用其常闭型/增强型氮化镓电源组件技术，除了增强型电源组件开关，比利时微电子研究中心也提供电源交换应用的横向肖特基二极管，基于比利时微电子研究中心专有的组件架构，该二极管结合了低导通电压和低漏电流（高达650V ），这是一项非常具有达成挑战性的结合�！�
| 上一篇：IMEC 首次展示了小于10... | 下一篇：下一代 5nm 2D材料可望... |
声明：本网站部分文章转载自网络，转发仅为更大范围传播。 转载文章版权归原作者所有，如有异议，请联系我们修改或删除。联系邮箱：lynnw@actintl.com.hk
粤公网安备 44030402004706号