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imec与根特大学成功开发120层高密度3D DRAM结构
2025/8/27 9:47:30
据报道，比利时微电子研究中心（imec）与根特大学宣布，其科研人员成功在300mm晶圆上构建出了120层交替的硅（Si）与硅锗（SiGe）结构，为高密度三维DRAM的开发奠定了技术基础。相关研究成果已发表于《Journal of Applied Physics》期刊。
据悉，该结构每层由65nm硅与10nm硅锗组成，以此重复120次，于是成功构建出了上述结构。实验显示晶圆内部保持完全应变，错位集中于边缘，未来可通过降低锗含量或引入少量碳来减少晶格失配。此外，研究团队在必要时在晶圆背面加压缩氮化物层，以抵消翘曲。
研究采用20%锗含量的硅锗材料，优化沉积工艺以维持界面清晰，并借助X射线衍射确认结构稳定性。该成果证实量产百层以上堆叠可行，有望推动三维DRAM存储密度大幅提升。
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