国内半导体龙头企业三安光电近日于互动平台公布重要信息,其湖南三安半导体基地在碳化硅(SiC)及硅基氮化镓(GaN)领域收获关键进展,这无疑是我国半导体产业发展道路上的一个重要节点。
截至2025年8月,有媒体从三安光电披露内容中了解到,湖南三安已经构建起相当可观的产能规模。在碳化硅方面,6吋碳化硅配套产能达到16,000片/月,8吋碳化硅衬底产能为1,000片/月、外延产能达2,000片/月。值得一提的是,还实现了8吋碳化硅芯片产线通线。同时,硅基氮化镓产能也达到了2,000片/月。如此全面且强大的产能布局,彰显了三安光电在第三代半导体领域的雄厚实力。
据进一步了解,三安光电湖南三安基地此次产能的提升,意味着公司在第三代半导体领域的国产化进程进一步加快。第三代半导体在新能源汽车、5G通信、智能电网等众多新兴领域有着广泛应用前景,三安光电产能的扩充将为国内相关产业提供更稳定的半导体产品供应,减少对国外产品的依赖。
媒体关注到,三安光电湖南三安基地的8吋碳化硅芯片产线建设进展十分亮眼。该产线已于近期完成设备调试并正式通线。回顾此前,公司在2025年7月的互动回复中还表示该产线“正在建设中”,此次官宣通线表明项目进度比原计划提前完成,体现了三安光电高效的项目执行能力和强大的技术实力。
作为碳化硅器件制造的核心环节,8吋芯片产线的投产具有重大意义。它将显著提升三安光电高端功率半导体的自给能力,有助于公司在高端半导体市场占据更有利的地位。随着产线的稳定运行,三安光电有望为市场提供更多高性能、高质量的碳化硅芯片产品。
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