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东京都立大学的科学家成功地设计了过渡金属二硫属化合物（TDMC）的多层纳米结构，这些结构在平面内相遇形成结。 适用于运输领域的SiC：设计入门 2023-4-26
在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性。 2D电子气的成功可视化 2023-4-25
由Naoya Shibata领导的东京大学的一个小组与索尼合作，成功地直接观察到了在GaN基半导体界面积累的2D电子气。 采用超薄势垒AlN/GaN异质结和三维栅结构实现高效率... 2023-4-17
在一项最近发表的研究中（Jingshu Guo , Jiejie Zhu , Siyu Liu, et al. IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(4): 590-593），西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心联合苏州晶湛半导... 采用超薄势垒AlN/GaN异质结和三维栅结构实现高效率... 2023-4-15
在一项最近发表的研究中（Jingshu Guo , Jiejie Zhu , Siyu Liu, et al. IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(4): 590-593），西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心联合苏州晶湛半导... 退火AlN模板有助于远紫外线LED 2023-4-14
实现在远UVC中发射的强大LED的一个巨大障碍是横向磁极化的主导地位，这阻碍了有效的光提取。但根据柏林一个团队最近的工作，可以通过在退火的AlN模板上引入压应变的AlGaN量子阱来克服这一问题。 韩国团队用IGZO制造人工智能芯片 2023-4-14
浦项科技大学（POSTECH）的一个研究团队使用铟镓锌氧化物（IGZO）开发了一种高性能人工智能半导体器件。这项研究发表在《先进电子材料》杂志上。 一种革命性的新型10纳米灵敏度气溶胶纳米颗粒计数... 2023-4-14
NANOAIR™ 10设计用于监测最关键的晶圆厂空间和超清洁环境，在2.8 LPM的样品流速下提供10 nm的检测灵敏度。该仪器足够小，可用于半导体工艺工具和小型环境。 用钌钝化氮化镓 2023-4-13
来自印度的一个团队正在率先使用钌溶液来钝化GaN表面。有效的钝化对于优化GaN器件的性能至关重要，因为它消除了氧杂质和氮空位等缺陷，这些缺陷是高栅极泄漏电流的原因。 钙钛矿电池迈向生产的一步 2023-4-7
金属卤化物钙钛矿太阳能电池可以通过使用由前体材料和各种溶剂制成的液体油墨的涂布工艺来生产。涂层后，溶剂蒸发，钙钛矿结晶，形成或多或少均匀的层。 激光二极管在打印机中的应用 2023-4-6
近年来，随着中国国内的激光打印机产品研发速度加快，不断孕育出新的市场需求，中国激光打印机的市场需求越来越大。罗姆自1984年开发出用于CD机的780nm激光二极管以来，不断开展激光业务，继而面... 荔园定律：消费类氮化镓快充的发展趋势 2023-4-5
华南师范大学、红与蓝微电子（上海）有限公司、深圳市倍思科技有限公司、国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台、浙江大学、深圳大学的研究人员对近五年消费类氮化镓快充产品进行了调研，并且... 氧化镓晶体生长方法的选择 2023-4-3
超宽带隙材料，如Ga2O3、AlN和金刚石，具有非常高的本征击穿电场，这使它们成为处理高功率的特殊候选者。 钙钛矿纳米晶体可用于更好的计算？ 2023-3-31
人类的大脑在许多方面都优于现代计算机。虽然大多数人的数学速度不如计算机，但他们可以毫不费力地处理复杂的感官信息并从经验中学习。大脑在完成这一切的同时消耗的能量还不到笔记本电脑的一半。... 用转移印刷技术推进量子光子学 2023-3-31
日本和德国研究人员声称，在单光子源和硅光子集成电路的集成方面开辟了新的天地。据该团队介绍，他们是第一个在电信波段推出量子点单光子源与硅代工厂制造的硅光子集成电路的混合集成。 EPFL和IBM开发新型激光器 2023-3-31
EPFL和IBM的科学家开发了一种基于铌酸锂的新型激光器，他们认为这可能会对光学测距技术产生重大影响。 氧化镓晶体生长方法的选择 2023-3-31
超宽带隙材料，如Ga2O3、AlN和金刚石，具有非常高的本征击穿电场，这使它们成为处理高功率的特殊候选者。 钙钛矿CIGS串联产生24.9%的效率 2023-3-29
瑞典CIGS太阳能公司midsummer与加州大学洛杉矶分校Yang Yang实验室的研究人员合作，证明了一种四端钙钛矿CIGS串联太阳能电池的效率达到24.9%。 将microLED与先进CMOS集成 2023-3-24
在过去五年左右的时间里，microLED制造一直是显示器行业的热门话题。在 Display Week 等领先的显示器盛会中，它一直处于重要议程，重点是各种显示器的平板制造，尺寸范围从智能手表到手机和电视。... 氧化镓晶体生长方法的选择 2023-3-17
超宽带隙材料，如Ga2O3、AlN和金刚石，具有非常高的本征击穿电场，这使它们成为处理高功率的特殊候选者。在这一半导体家族中，人们对Ga2O3的兴趣呈指数级增长。它不仅在减少能量损耗的小体积高转...
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