技术文章
| 总数:778 现显示第37页，共39页 |
|
这款最新的SBR可作为一个高效光电模块旁路二极管，并发挥关键的作用。其最大的封装高度只有0.75毫米，可焊接于太阳能电池板内，有效免除额外接线盒的需要。 来源于链接硒化铅（PbSe）纳米颗粒的廉价而高效的... 2011-11-4
铅硒化合物量子原子团相互间的距离是如此之近，以至于每一个被太阳能电池吸收的单独光粒子都能引起电子的移动。 Molex采用SolarEdge技术优化SolarSpec智能接线盒 2011-11-1
内嵌SolarEdge芯片组的�？榛苫セ缓懈鞘迪值缱蛹桑⒋俳止せ蜃远芭湎叩木嬷圃�. RFMD 推出氮化镓宽频功率放大器 2011-10-28
RFHA1003 氮化镓功率 IC (PIC) 是一款宽频功率放大器，专为连续波和脉冲应用而设计。 意法半导体提升从太阳能板至电网的全程能源转换效... 2011-10-28
意法半导体近期推出一系列针对其 SolarPlus参考设计开发的先进产品，能够让下一代发电设备的控制变得更加简易，并产生更多的再生能源。 英科学家成功构建全固态薄膜电池雏形 2011-10-25
新的全固态电池通过沉积手段合成，呈多层薄膜状。开发过程中使用了Ilika独有的高通量物理气相沉积平台，该平台可将基础材料的研发进程加快10至100倍。 GaN-on-silicon晶体管速度更快体积更小 2011-10-24
最新的研究成果使混合电特性的晶体管成为可能：既具有CMOS芯片的计算能力，又具有氮化镓晶体管的功率处理能力。 纳米结构使硅薄膜太阳能电池成本减半 2011-10-24
目前太阳能电池一般都由高品质的硅晶体制成，因此，大大提高了其制造成本，限制了太阳能电池在全球大规模的应用。南洋理工大学（NTU）和新加坡微电子研究院（IME）的科学家制造出的这种新的薄膜硅... 受色彩鲜艳的鸟类启发而制造的砷化镓/砷化铟纳米激... 2011-10-21
科学家们模仿鸟类羽毛的纳米结构制造出了由砷化镓膜和砷化铟量子点组成的激光器。 III-V族激光器在硅片上实现直接集成 2011-10-20
与他们以前的工作（演示脉冲激光工作原理）相比，法国的IES集团已经在激光器中加入一个具有双重功能的涂层:蚀刻停止（etch-stop）层和欧姆接触层。 铜纳米线薄膜可显著降低电子设备成本 2011-10-17
美国杜克大学的科学家研制出了一种新型纳米结构，其具有降低手机、电子阅读器和iPad等显示器制造成本的潜力，亦能帮助科学家构建可折叠的电子产品并提升太阳能电池的性能，目前已进入商业制造阶段... 恩智浦宣布推出针对非调光LED灯泡的GreenChip解决... 2011-10-12
高度紧凑的SSL2108x平台打造高效率、低成本的LED灯,可满足100V、120V和230V市场低本高效应用的设计需求，驱动器最大转换效率高达95%. 蓝宝石可削减高速HEMT的漏电流 2011-10-12
位于加利福尼亚马里布的HRL Laboratories的研究人员制造出了40 nm栅极长度GaN HEMT器件，它结合了数百GHz的运行速度与令人难以置信的低栅极漏电流。2 nm厚蓝宝石层可以大大减少在高速、高比例HEM... 采用内部倍频目标气体检测的QCL 2011-10-12
利用GaInAs和AlInAs配对腔内倍频创建3 mm QCL,一个美国研究小组大大改善了其具有倍频区的GaInAs/AlInAs量子级联激光器（QCL）的短波长输出功率。 海洋薄膜 PixelTec 系列发布高性能图案式氧化铟锡... 2011-10-10
这款首创的平版式光学涂层镀制技术具有干净利落的特点，同时保持了溅射式氧化铟锡涂层的高性能，对于那些需要可导电光学透明膜的精确电光设备来说是上上之选。 恩智浦SiGe工艺提供最低功率Ku波段下变频器 2011-9-29
高度集成的LNB下变频器专为卫星电视接收器设计，可提高系统的性能，延长产品使用寿命，并降低制造成本 氮极HEMT正在赶超传统技术 2011-9-23
在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的氮极HEMT在4GHz频率时可获得与传统镓极HEMT相当的功率密度。 科学家揭秘铁电材料的光电机制 有望大幅提高太阳... 2011-9-22
美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室及加州大学伯克利分校的研究人员揭开了铁电材料在光照条件下产生高压电的秘密。该研究发表在《物理评论快报》上。 以色列特拉维夫大学采用单晶体蓝宝石纤维制成新型... 2011-9-20
电子电气系统布线采用高效超导体一直是工程上的一个梦想，但成本问题和材料的柔韧性等工程问题使得这个梦想难以成真。不过以色列特拉维夫大学最近的一项研究成果使得这个梦想离现实近了一步。 Trident太阳能为晶硅前表面推出非接触式喷墨式选择... 2011-9-15
Trident太阳能为晶硅前表面推出非接触式喷墨式选择性发射极解决方案
| 总数:778 现显示第37页，共39页 |
|
粤公网安备 44030402004706号