技术文章
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近日，松山湖材料实验室与北京大学经过深入合作，成功利用高温热退火技术实现了高质量4英寸无开裂氮化铝单晶模板。高温热退火过程不仅能够促进穿透位错的湮灭，同时能够有效引入压应力从而抑制氮... Soitec 和 Mersen 宣布建立战略合作伙伴关系，开拓... 2021-12-14
公司将为电动汽车市场开发新型碳化硅基板 韩国团队打造透明柔性的2D内存 2021-12-13
量子点和六边形 BN 三明治即使在弯曲时也能保持内存 预阱结构增强黄色 LED 性能 2021-12-7
中国武汉大学团队通过在多个量子阱下方引入 InGaN/GaN 预阱结构来提高性能 钙钛矿缺陷的定向管理 2021-12-6
中国团队利用新型低维钙钛矿钝化钙钛矿太阳能电池界面缺陷 让量子点不再闪烁！ 2021-12-1
麻省理工学院的化学家解决了阻碍将微型光发射器用于生物成像或量子光子学的间歇性问题 GeSnOI 中红外激光器，开辟了CMOS 兼容的硅的光子... 2021-11-30
该技术解决了晶格失配缺陷、压缩应变工程、热管理和光限制问题 超薄二维钙钛矿，组合太阳能电池效率有望提升到30... 2021-11-29
莱斯实验室发现二维钙钛矿化合物具有挑战笨重产品的合适材料 离子注入 SiC 二极管的缺陷分布 2021-11-23
研究人员发现，p 型双极半导体中的铝注入掺杂会产生比注入位置更深许多层的缺陷 韩国团队取得钙钛矿突破 2021-11-22
新的研究揭示了 SrTiO3 钙钛矿材料的易调谐性，为其在下一代电子产品中的广泛应用打开了大门 III-V Epi 巩固了英国项目的地位 2021-11-17
Innovate UK SHARK-VECSELs 项目将成立公司以提供商业量子解决方案 GaAs纳米线可以制造低成本太阳能电池 2021-11-16
挪威的研究小组展示了如何通过一层 GaAs 纳米线将当今硅太阳能电池的效率提高一倍 薄膜天线阵列使用氧化锌晶体管 2021-11-9
普林斯顿大学的研究人员展示了高频天线阵列如何为无线通信提供新的灵活性 二维材料中的导激子 2021-11-8
研究人员创造了“激子”线，可以实现基于应变电子学的二维化合物半导体器件 这一工艺为更高效的激光器和LED 铺平了道路 2021-11-4
北卡罗来纳州立大学团队开发 MOCVD 工艺，可在 p 型 III 族氮化物材料中产生最高浓度的空穴 SMART 研究人员利用缺陷产生光 2021-11-3
Discovery 展示了克服InGaN LED制造中当前挑战的实用方法 超晶格电子阻挡层提高紫外发光二极管效率 2021-11-2
武汉大学团队通过引入 AlInGaN/AlGaN 超晶格电子阻挡层 (SEBL) 提高了UV LED的 量子效率 使用多结 LED 减小Droop效应 2021-11-1
具有多个隧道结的 MOCVD 生长 LED 将峰值效率推至更高的驱动电流 先进的 III-V 硅光子学 2021-10-29
来自 Milpitas 的惠普实验室的科学家回顾了 III-V-on-silicon 集成的最新进展 IIT-Madras 团队制作白色发光晶体 2021-10-28
卤化物钙钛矿晶体在其结构扭曲时发出强烈的白光
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