技术文章
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超晶格在抑制 GaN 基功率器件中的动态导通电阻退化方面优于分级缓冲器 2D“多铁性”堆栈显示了内存和 FET 的潜力 2022-3-24
澳大利亚团队创造出了新材料，将铁电材料和铁磁材料的特性结合起来 6,400V GaN 二极管可以�；さ缤馐艿绱怕龀宓挠跋�... 2022-3-23
新的桑迪亚（Sandia）二极管可以在十亿分之一秒内分流多余的电能 科学家找到解决钙钛矿障碍的方法 2022-3-22
太阳能电池在 2,000 多小时内保持原始太阳光-电能转换性能的87% 扭曲的二维半导体带来新特性 2022-3-10
扭曲二维过渡金属硫族化合物 (TMD) 显示室温铁电性 P-n 结增强 GaN HEMT 2022-3-9
向 GaN HEMT 添加 p-n 结可以提高其击穿电压 加州大学洛杉矶分校的团队用二硫化钼（MoS2）制造... 2022-3-8
2D 复合半导体有望可开发出新型的可穿戴设备、诊断传感器和生物-电子混合生物 德国团队将主力光伏硅与钙钛矿相结合 2022-3-7
HZB 和 ISFH Hameln 串联器件的功率转换效率可达到 29.5%。 钙钛矿研究为太阳能电池提供了新的发展空间 2022-2-28
洛斯阿拉莫斯实验室（Los Alamos Lab）在器件设计中探索二维钙钛矿，为技术带来希望 阳离子无序工程显示 AgBiS2 太阳能电池的潜力 2022-2-23
科学家调整阳离子的原子位置，使其吸收系数比目前光伏技术中使用的任何其他材料高 5-10 倍 在蓝宝石上实现高效紫外光 2022-2-22
具有面对面退火的 氮化铝（AlN ）模板可提高深紫外 LED 效率 改进量子点激光器 2022-2-21
将点的密度增加至少一个数量级,可以获得更快的激光器和更低的阈值电流 钙钛矿研究的新视角 2022-2-18
剑桥团队发现，合金钙钛矿具有非立方结构，在室温下具有 2 度八面体倾斜 美国团队使用 SiC 芯片将量子比特保持 5 秒 2022-2-17
使用常见材料的突破可以为新的量子技术铺平道路 生产常关型射频 HEMT 2022-2-16
等离子体处理和湿法蚀刻产生 RF GaN HEMT 科学家们用纳米线编织纳米带 2022-2-15
大规模生产用于尖端电子产品和催化剂的纳米带 二维材料可用于模拟计算机中的大脑突触 2022-2-10
研究人员制造的材料使模拟人脑的计算机具有商业可行性。 使用石墨烯替代有机发光二极管中的ITO 2022-2-9
Paragraf公司和伦敦大学玛丽皇后学院的的科学家用单层石墨烯阳极制造有机发光二极管(OLED) 用量子点放大钙钛矿太阳能电池 2022-2-8
科学家用聚丙烯酸稳定的氧化锡 (IV) 量子点层取代二氧化钛的电子传输层 毒性更小的制造金属卤化物钙钛矿纳米晶体的方法？... 2022-2-7
中国团队使用卤化锗合成非铅和铅基PNCs
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