金刚石半导体，再创纪录！
在全球电力系统日益数字化、高可靠性与低碳化并重的背景下，电力电子器件正朝着更快、更强、更智能的方向加速演进。光电导半导体开关（PCSS）是一类基于光触发机制的电子开关，其结构通常更为简单，集成度低，在极端环境下具备优异的电绝缘性与触发可靠性，广泛应用于电力系统、高能脉冲设备和电磁脉冲防护等场景。然而，传统PCSS技术长期面临核心瓶颈——无法在电压/电流转换速率极高（压摆率要求高）情况下实现足够的功率水平（如5MW及以上），严重制约了其在国家级电网防护和新型能源系统中的规模应用。
造成这一局限的核心在于传统材料体系的物理限制。当前主流PCSS大多基于砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料，这些材料存在如下问题：一是临界击穿电场较低，限制了其耐压性能；二是热导率低，难以支撑高功率密度条件下的持续运行；三是依赖亚带隙激发进行光触发，需要在材料中引入杂质能级，从而降低了开关的速度与一致性，甚至可能导致电流密度异常升高（产生细丝效应）进而损伤器件本体。
为此，来自美国的科研团队在报道了一种性能破纪录的金刚石光电导半导体开关，不仅刷新了PCSS在电压、电流处理能力、压摆率、效率和可靠性等多项指标上的记录，更为下一代高性能电力保护与控制设备提供了可行的新路径。
该团队采用“本征金刚石”作为PCSS的核心材料。相较传统半导体，金刚石具有极高的击穿电场（约10 MV/cm）、优异的热导率（超过2000 W/m·K）、极高的载流子迁移率和带隙宽度（5.5 eV），理论上具备在极端电压与温升条件下稳定运行的能力。此前，金刚石在电子器件领域的应用更多集中于功率晶体管、热界面材料等方向，其在光电导开关中的潜力尚未得到系统开发。
此外，该研究首次明确指出并验证，“越纯净”的金刚石材料，越能实现高效、高速的光电导触发响应。通过对比具有不同硼（B）和氮（N）杂质浓度的金刚石基底样品，团队发现：本征金刚石制备的横向PCSS器件，在响应度、光电流与开关比等核心性能指标上均优于杂质浓度更高的对照组，打破了此前“适当掺杂可提升触发效率”的固有认识，为基于本征材料的极限性能释放提供了理论支撑。
研究中报道的器件不仅在实验室条件下实现了5MW等级的功率处理能力，同时具备高压下稳定触发、极快上升沿（压摆率）、高重复性与长寿命运行能力，整体表现远优于当前主流PCSS器件。更重要的是，该器件具备良好的工艺兼容性和尺寸可扩展性，有望实现从实验室样机向工业量产级器件的跨越。
在实际应用层面，金刚石PCSS可广泛用于需要高速、大功率、强抗干扰能力的场景，如智能电网开关、脉冲功率系统、军用电磁发射系统、粒子加速器、空间能源管理设备等。其低集成复杂度、高触发精度和环境适应性，也为未来构建柔性、分布式电力系统中的高可靠开关提供了理想路径。
据了解，美国每年因电网故障造成的经济损失极高，因此未来电网系统要实现“更可靠、更具韧性、更低碳”的目标，亟需可承受极端运行条件、具备快速响应能力、系统集成简洁的高性能电子�；び肟刂破骷�。金刚石PCSS正是这一类“电力电子开关中的理想型选手”。
从材料体系的角度看，金刚石PCSS也具备跨领域融合的潜力。例如在军事脉冲功率装置、电磁武器触发系统、高能物理实验等场景，均需具备极端功率负载和毫秒级响应能力的电子开关。而金刚石因其结构稳定性与热稳定性，也可满足上述极端工况下的长期运行要求。随着CVD金刚石大尺寸衬底与低缺陷率外延工艺的成熟，基于金刚石的PCSS将有可能步入“材料-器件-系统”全链条产业化阶段。
然而金刚石PCSS当前仍面临产业化初期的典型问题。一方面，高纯度金刚石材料制备仍依赖高成本的化学气相沉积（CVD）技术，其在一致性、产能和尺寸控制方面仍需进一步提升；另一方面，光触发系统本身尚需在激光器件微型化、耦合效率优化等方面配合完善，才能实现真正“高功率+低门槛”的商业应用场景。未来的研究需在金刚石材料的晶体缺陷控制、器件结构微型化与系统集成等方面进一步推进。
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