企业新闻
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STMicroelectronics将在意大利建立一个集成的SiC衬底制造工厂，以支持ST客户在汽车和工业应用中对SiC器件日益增长的需求，为正在向电气化过渡提供更高的效率。该工厂预计将于2023年开始生产，实现... Lumileds提高Luxeon Round的产量 2022-10-21
Lumileds提高了其 Luxeon 5050 Round LED 的光输出和效率。该LED于2016年10月首次推出，在4000K和70CRI时，其输出和效率提高了14%，达到693流明和178流明/瓦。此外，根据Lumileds的说法，该产品组... 再创不凡，未来可期——牛津仪器上海办公室扩建落... 2022-10-21
金风送爽，高朋云集。10月20日，牛津仪器上海办公室扩建落成暨中国总部成立庆典仪式成功举办。牛津仪器中国区总裁何峻先生、英国驻上海总领事馆代理总领事 Andrew McAllister先生、上海徐汇区虹梅... IQE宣布与MICLEDI合作 2022-10-20
IQE plc已与MICLEDI Microdisplays建立合作关系，专注于microLED技术的大规模商业化。MICLEDI是一家无晶圆厂半导体设计和技术公司，开发高性能microLED显示器，主要专注于增强现实产品。 意法半导体CAN FD Light多像素驱动器助力下一代汽... 2022-10-20
意法半导体的L99LDLH32线性稳流器为使用轻量级 CAN FD Light 协议控制动态汽车照明提供了一个简便的集成解决方案。OLED 灯可以从很小的表面发射明亮、均匀和高对比度的光线，新驱动器与OLED完美匹... HexaTech投资100mm AlN衬底项目 2022-10-19
HexaTech宣布加速其直径为100毫米的单晶氮化铝（AlN）衬底产品开发计划。该计划在过去一年中一直处于开发的早期阶段，将在人力资源和资本支出方面进行大量投资，涉及从晶体生长到抛光的所有制造工... 艾迈斯欧司朗推出新型514nm激光器，比传统氩离子激... 2022-10-19
艾迈斯欧司朗发布首款可产生特定的514nm波长输出的商用半导体激光发射器Metal Can® PLT5 522FA_P-M12，应用于生命科学研究和诊断。 TactoTek和Ams Osram在汽车内饰照明方面合作 2022-10-18
芬兰公司TactoTek和Ams Osram正在携手合作，为车内提供纤薄、无缝集成的三维照明结构。两家公司已经开发出一款带有Ams Osram新型RGB侧视LED OSIRE E5515的演示器，由于TactoTek的模内结构电子（I... 纳微半导体：为所有市场提供氮化镓器件 2022-10-18
今年9月初，总部位于加州的GaN功率器件制造商Navitas发布了“GaNSense”， 这是一款半桥功率IC，该公司认为与分立氮化镓半桥相比，它能提供 "新水平 "的MHz开关频率，同时降低系统成本... Lakesemi推出1200V SiC全桥和整流器模块 2022-10-18
中国公司Lakesemi开发了新一代SiC全桥与整流�？椤狶SCT30PV120B9G。据说这种新的1200V�？榫哂�88mΩ的低导通电阻和347nc的总栅极电荷。Lakesemi表示，热工程师将受益于其在1ms时为0.28°C / W的... IQE 宣布与 SK siltron 达成战略合作协议 2022-10-17
IQE plc（以下简称“IQE”或“集团”）全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材料解决方案供应商，近日正式宣布与 SK siltron 达成战略合作协议，专注于化合物半导体产品的研发及商业化。 中国高校16个团队入围GaN Systems杯设计大赛 2022-10-14
GaN Systems日前宣布，来自中国顶尖大学的16支队伍已入围第八届年度“GaN Systems杯”高校电力电子应用设计大赛。 Wolfspeed联合创始人兼首席技术官John Palmour博士... 2022-10-14
美国国家工程院（National Academy of Engineering）于近日召开 2022 年度大会，Wolfspeed, Inc.（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）联合创始人兼首席技术官 John Palmour 博士凭借其对于碳化硅... 氮化铝薄膜大功率芯片电阻器电导率是传统衬底材料... 2022-10-12
TT Electronics宣布其TFHP系列薄膜高功率芯片电阻器。TFHP产品系列在单个电阻器中结合了高功率和高精度，利用了氮化铝（AIN）陶瓷衬底，其电导率几乎是芯片电阻器传统衬底材料氧化铝的六倍。 牛津仪器公司和ITRI开发新型GaN结构器件 2022-10-12
牛津仪器公司（Oxford Instruments）与其研究伙伴工业技术研究所（ITRI）共同开发了一种新的GaNHEMT器件架构，由嵌入AlGaN层的凹形绝缘栅结定义。这种新器件被称为GaN MISHEMT。 安森美扩建欧洲SiC工厂 2022-10-9
安森美（Onsemi）庆祝其在捷克共和国 Roznov 扩建的 SiC 工厂开业。从 2019 年开始，Onsemi 将 SiC 抛光晶圆和 SiC 外延片生产添加到了其在 Roznov 现有的硅抛光和外延片及模具制造中。 Riber 宣布推出用于特高压电源馈通的新技术 2022-10-8
MBE 公司 Riber 宣布为其关键的超高真空 (UHV) 组件之一开发了一项新技术。超高真空部件的新设计由于使用了一体式部件，减少了焊接次数。 ELPHiC提供集成InP光学/电子学接收器样品 2022-10-6
专注于新一代 InP 芯片的加拿大公司 ElectroPhotonic-IC (ELPHiC) 日前宣布了其集成光学/电子接收器的样品。这是继其用于 ONU 应用的 10G 1271 激光器的样品之后，显示出其非常高的可靠性。 Mouser备货Qorvo GaN功率放大器 2022-10-3
Mouser现在备货Qorvo的QPA1724 Ku/K波段GaN功率放大器(PA)。据悉，该器件的功率是同类PA的两倍，并提供出色的宽带线性功率、增益和功率附加效率。 东丽和A*STAR就SiC散热进行合作 2022-9-29
东丽工业公司和新加坡A*STAR微电子研究所（IME）已开始联合研究，开发SiC功率半导体用高散热粘合片的实际应用。
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