研发报告
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新型石墨烯光电探测器比现有设备探测能力强10万倍 韩国科研人员开发出织物OLED显示技术 2016-11-30
韩国科研人员开发出织物OLED显示技术 二维材料结合制作“量子LED” 2016-11-29
二维材料结合制作“量子LED”，这又是怎样的发现？ 首个自愈合弹性半导体问世 2016-11-24
首个自愈合弹性半导体问世 利用光子解决神经网络电路速度受限难题：运算速度... 2016-11-23
利用光子解决神经网络电路速度受限难题：运算速度快3个数量级 全球首个无半导体的微电子器件问世 导电性能增加1... 2016-11-17
全球首个无半导体的微电子器件问世 导电性能增加10倍 首个打破物理极限的1nm晶体管诞生 2016-10-10
首个打破物理极限的1nm晶体管诞生 温大教授发明新材料 让白光LED灯寿命更长 2016-8-8
温大教授发明新材料 让白光LED灯寿命更长 沸石可使下一代LED照明更便宜、更有效 2016-6-30
这些研究结果对下一代荧光灯和LED照明和生物成像的发展有很大帮助。毕竟，新的荧光粉不仅可以发出大量的光，而且生产成本低 载流子寿命揭示了LED光效下降的多重诱因 2016-6-29
载流子寿命揭示了LED光效下降的多重诱因 降低黄光激光器件的阈值电流 2016-6-29
一种脊型波导结构成功地降低了BeZnCdSe基黄光激光器件的阈值电流，这项改进将有助于这种激光器件的商品化，能使其在医疗领域获得应用 降低蓝宝石上外延GaN的缺陷密度 2012-8-14
最近开展的一项国际合作项目小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就可以实现。 氮化硼的机械转移 2012-8-14
近日台湾NTT基础研究实验室的研究人员开发了一种氮化硼薄膜技术，这项技术使得机械方法将会取代目前在工艺线当中所使用的蚀刻及激光剥离的方法，用来分离GaN和蓝宝石衬底层。 辐射复合饱和导致LED光效下降 2012-8-14
来着韩国的研究小组对于LED随着温度降低发光效率下降给出了一种不同的解释。他们对于器件发光效率随着温度降低而下降给出了多种理由，提出的理论解释包括：载流子泄露、有效发光区域减少，以及饱... 载流子处理挑战光效下降现象 2012-8-14
台湾国立交通大学的工程师的计算表明，电障层势垒（barrier）组成成分的改变可以提高GaN LED的性能。通过修改空穴传输，可能设计出更有效和不容易出现光效下降现象（droop，即当电流加速时LED效率... 功能强大而简单的紫外LED 2012-8-14
GERMAN COLLABORATION使用数量相对较少的工艺，已经生产出具有最先进效率的355 nm AlGaN基LED。 数百万原子QD计量 2012-8-14
实际量子点器件的生长动态变化已由一个国际研究小组建模出来，该小组由来自爱尔兰廷德尔国家研究院、意大利国家纳米技术实验室CNR，以及美国印第安纳普渡大学的研究人员组成。 抑制氮化物二极管的漏电流 2012-8-14
日立中央研究实验室的工程师们发现，通过降低载流子面密度（sheet carrier density），AlGaN/GaN肖特基势垒二极管的反向漏电流可以大幅下降。 GaN LED和CMOS传感器的光遗传学 2012-7-26
GaN LED和CMOS传感器的光遗传学 利用470 nm LED和硅像素阵列的老鼠大脑成像 电子辐照公开激光降解机理 2012-7-26
电子辐照公开激光降解机理 向内生长镓空位导致GaN激光器的点缺陷
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