本期内容
2025年4/5月刊
封面故事 Cover Story
液相法电阻炉:
碳化硅晶体生长的革新力量，驱动半导体产业新变革
Liquid Phase Resistance Furnace: A Revolutionary Force for SiC Crystal Growth, Driving a New Semiconductor Industry Transformation.
- 常州臻晶半导体有限公司
编者话 Editorial
碳化硅衬底尺寸的选择:
理性布局而非尺寸竞赛
SiC Substrate Size selection: Rational Planning Over Size Competition.
- 陆敏
业界动态 Industry
士兰微披露SiC项目最新进展，士兰集宏8英寸线预计Q4通线
Shilan Microelectronics disclosed the latest progress of its SiC project. The 8-inch production line of Shilan Jihong is expected to be commissioned in the fourth quarter.
九峰山实验室GaN系列成果首次发布，半导体领域迎来重大突破！
Jiufengshan Laboratory unveils its GaN research findings for the first time, marking a significant breakthrough in the semiconductor industry!
SEMI报告:
2024年全球半导体设备出货金额飙升至1170亿美元
SEMI report: The global semiconductor equipment shipment value soared to 117 billion U.S. dollars in 2024.
意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议
STMicroelectronics and Innoscience have signed an agreement for the development and manufacturing of GaN technology.
杭州镓仁8英寸氧化镓晶圆衬底震撼问世
8-inch gallium oxide wafer substrates from GAREN SEMI debut with a bang
广纳四维、烁科晶体、国纳智造联手，加速碳化硅AR光波导量产
Guangna 4D, SEMISiC, and Guona Intelligent Manufacturing are joining forces to accelerate the mass production of silicon carbide AR optical waveguides.
化合物半导体市场以近13%的复合年均增长率增长，2030年市场规模将 达250亿美元
Compound semiconductor market growing at nearly 13% CAGR to $25bn by 2030
技术 Technology
标记里程碑
Marking milestones
- RIcharD STEVENSON，《CS》杂志
宽禁带功率器件的增长
The growth of wide bandgap power devices
- POSHUN CHIU和EZGI DOGMUS，YOLE GROUP
回顾:
过去30年的重大事件
Retrospective: Looking back at the biggest stories from the last 30 years
- RIcharD STEVENSON，《CS》杂志
基于超宽禁带氮化物 AlN/AlGaN异质结半导体器件的研究
Schottky Barrier Diodes Based on Ultrawide-Bandgap AlN/AlGaN Heterojunction
- 何溢勇、刘国梁、梁帅、肖科、樊永辉（通信作者），深圳市汇芯通信技术有限公司
科技前沿 Research Review
构建更好的多通道肖特基势垒二极管
Building better multi-channel Schottky barrier diodes
优化用于近眼应用的绿色LED
Optimising green LEDs for near-eye applications
提高双向HEMT的阻断电压
Boosting the blocking voltage of birectional HEMTs
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粤公网安备 44030402004706号
在半导体材料的广阔领域中，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的杰出代表，正凭借其卓越的性能，在众多关键领域掀起一场技术革新的浪潮。从新能源汽车的高效动力 系统，到数据中心的高速运算，再到AR眼镜的沉浸式体验以及智能电网的稳定运行，碳化硅的身影无处不在，为这些战略性新兴产业的蓬勃发展提供了不可或缺的支撑。然 而，长期以来，高品质低成本碳化硅晶体的生长一直是横亘在行业发展道路上的一道难题，限制着碳化硅材料优势的充分发挥。在这样的背景下，常州臻晶半导体有限公司凭 借其自主研发的液相法碳化硅电阻炉技术，成为行业内的创新先锋，为碳化硅晶体生长带来了全新的解决方案，以技术专业性和市场适应性引领着行业发展的新潮流。今天， 就让我们深入探寻这款液相法电阻炉的独特魅力与强大实力。