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本期内容
2021年08/09月刊
封面故事 Cover Story
出人意料: 
UV VCSEL
Out of the blue: UV VCSELs
ÅSA HAGLUND，CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
编者话 Editorial
第三代半导体之微波射频应用
Microwave and radio frequency applications of third-generation semiconductors
陆敏
业界动态 Industry
意法半导体制造出首批200毫米SiC晶圆
STMicroelectronics manufactures the first batch of 200mm SiC wafers
罗姆推出内置 SiC 二极管的新型混合 IGBT
ROHM launches new hybrid IGBT with built-in SiC diode
“解锁Micro LED市场需求及产业应对 ”线上论坛精彩回顾
Wonderful review of the online forum "Unlocking Micro LED Market Demand and Industry Response"
GaN Systems 和 FTEX 将电动汽车的行驶里程和功率提高了 30%
GaN Systems and FTEX increase the range and power of electric vehicles by 30%
大展宏图 未来可期——MRSI深圳产品演示中心开业庆典
A grand vision, the future can be expected-MRSI Shenzhen Product Demonstration Center Opening Ceremony
16.66亿元！荣芯半导体买下“德淮半导整体资产”
1.666 billion yuan! Rongxin Semiconductor buys "Dehuai Semiconductor's overall assets"
贺利氏电子加入美国电力研究所，助力宽禁带功率器件产业化
Heraeus Electronics joins Power America Institute to help the industrialization of wide-bandgap power devices
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
高端访谈 Top interview
碳化硅衬底至尊
The silicon carbide substrate supremo
科技前沿 Research Review
微型化红色microLED
Miniaturising red microLEDs
紫外光LED变得更小更亮
UV LEDs get smaller and brighter
GaN HEMTs提供创纪录的效率
GaN HEMTs deliver record efficiency
技术 Technology
制造更高效、更可靠的毫米波HEMTS
Making more efficient, more reliable millimetre-waveHEMTs
KATHIA HARROUCHE、RIAD KABOUCHE和FARID MEDJDOUB，IEMN
磷化铟增强相控阵雷达的能力
InP empowers phased-array radar
安德里亚•阿里亚斯•普渡，佩特拉•罗威尔，米格尔•乌尔蒂加，筱原敬介，安迪•卡特 和乔希•伯格曼，泰利达因科学与成像和康宁公司；马克•罗德威尔和詹姆斯•巴克沃 特，加州大学圣巴巴拉分校
卫星通信改用硅衬底
Switching to silicon substrates for satellite communication
罗科•乔弗里、费迪南多•科斯坦佐和埃内斯托•利米，罗马大学；安东尼诺•马萨里、弗 朗切斯科•维图利和安德里亚•苏瑞尼，意大利泰勒斯•阿莱尼亚航天公司
新型纳米线催生出优异的紫外光LED
New nanowires spawn superior UV LEDs
RA VI Teja VELPULA、Barsha Jain和Hieu Pham Trung Nguyen，新泽西理工学院
九峰山实验室专栏 JFS Laboratory Column
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