本期内容
2020年10/11月刊
封面故事 Cover Story
SiC 的黄金时代:
25 年创新历程
编者话 Editorial
风口浪尖上的第三代半导体
业界动态 Industry
全球最大氮化镓工厂在苏州建成
SEMI 中国化合物半导体 & HB-LED 标准委 员会2020 年度秋季会议顺利召开
华为亮相2020 北京车展， 多合一电驱动系统DriveONE 引围观
稳懋拟投资200 亿元建新厂 ！产能翻两倍
第三代半导体兴起，台厂在台积电领头下积极卡位
中车株洲汽车用功率半导体生产线投产
芜湖第三代半导体工程中心产 线全面贯通暨2020 中国（芜 湖）第三代半导体产业发展论 坛成功举办
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
深紫外LED 的发展历程
预测未来:
展望未来25 年
帮助氧化镓保持冷却
氮化镓—— 改变中国在提高能效方面对硅的依赖
九峰山实验室专栏 JFS Laboratory Column
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粤公网安备 44030402004706号
在过去的25 年时间里，Cree 取得了诸多成功，包括实现更大尺寸的 SiC 衬底并消 除其微管，以及将 SiC 二极管、SiC MOSFET 和 GaN HEMT 推向市场。