本期内容
2020年6/7月刊
封面故事 Cover Story
紫外发光二极管（UV LED）发光效率的重要进展
A massive boost for UV LED efficiency
孙海定，中国科学技术大学 龙翰凌、吴峰、戴江南、陈长清，华中科技大学
编者话 Editorial
射频氮化镓（GaN RF）市场趋势
GaN RF market trends
赵雪芹
业界动态 Industry
中电科实现4英寸碳化硅晶片大批量产
CECT reached mass production of 4-inch SiC wafers
TCL华星牵手三安光电布局microLED
TCL CSOT and Sanan Optoelectrics built a joint-lab on microLEDs
SweGaN开发了无缓冲GaN-on-SiC HEMT
SweGaN Develops Buffer-Free GaN-on-SiC HEMT
ROHM 开发出第4 代 低导通电阻SiC MOSFET
ROHM developed the 4th generation SiC MOSFETs with low on resistance
乾照光电开工VCSEL和高端LED芯片等项目
Changelight started VCSEL and high-end LED chip projects
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
背面发射 VCSEL 改善了 3D 传感
Back-emitting VCSELs enhance 3D sensing
- James Foresi, Luke Smithwick，TRILUMINA 公司
III-V族与硅结合用于后5G时代的前端�？�
Uniting III-Vs with silicon for beyond-5G front-end modules
- Abhitosh Vais, IMEC
电力电子中采用GaN技术有哪些挑战
What are the challenges of using GaN technology in power electronics
Philip Zuk，Transphorm全球技术营销及北美销售副总裁
混合生长有望实现性能更高的激光二极管
Hybrid growth promises better performing laser diodes
Josh Brown, Brad Siskavich, Ian Mann; BLUGLASS
九峰山实验室专栏 JFS Laboratory Column
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目前市场和实验室研究开发的UV LED 的致命弱点是它的电光转换效率较低。与采用 InGaN 量子阱的蓝光 LED 相比，UV LED 的性能低得可怜。通过改进材料晶体质量，设 计和外延新型有源区量子阱结构，并在传统 LED 器件结构中单片集成光电倍增转换器， 将波长为 280nm的半导体深紫外LED（DUV LED）电光转换效率提升至 20% 以上。