本期内容
2018年第一期
封面故事 Cover Story
异质结PIN二极管MMIC RF开关
Heterojunction PIN Diode MMIC RF Switches
- James J. Brogle，高级主任工程师，MACOM多应用市场事业部
编者话 Editorial
中国打破MOCVD设备国外垄断
业界动态 Industry
设立 SiC 标准
Setting the SiC standard
为 GaN 器件批量生产亮起绿灯
Green Light For GaN Devices
深紫外光 LED瞄准杀菌消毒应用
Ultraviolet LEDs take aim at disinfection
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
GaN的单片集成
The monolithic integration of GaN
Karen Geens，Marleen van•Hove和Stefaan Decoutere，IMEC
首次亮相:
p型SiC MOSFET
Making a debut: The p-type SiC MOSFET
- Junjie An，Masaki Namai，Mikiko Tanabe，Dai Okamoto等，筑波大学
GaN HEMT:
衬底难题
GaN HEMTs: The substrate conundrum
- Mohammed Alomari，斯图加特微电子学院（IMS CHIPS）
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粤公网安备 44030402004706号
自2003年MACOM公司发明了具有AlGaAs层的GaAs砷化镓PIN二极管、之后获得相应的专利并成功完成其研制。增加的AlGaAs层作为阳极和/或阴极，使所形成的异质结二极管有较低的正向偏置射频电阻，而没有改变反向偏置电容。通过加入AlGaAs层，GaAs PIN二极管单片集成电路的电气性能和热耗散性能都被验证有显著提高，例如在单片开关芯片产品的设计实现上。