本期内容
2017年第二期
封面故事 Cover Story
世上首个全色彩单芯片LED
The world's first monolithic full-colour LED
编者话 Editorial
化合物半导体成果斐然
业界动态 Industry
IEDM国际会议展示化合物半导体方面的成果
IEDM showcases compound semiconductor successes
3D-Micromac:
更快的SiC晶圆切割速率
3D-Micromac: a faster slice
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
氮化镓 – 实现 5G 的关键技术
GaN – the key to 5G technologies
- David Schnaufer 和 Bror Peterson, Qorvo
InGaAs finFET用于未来的CMOS
InGaAs finFETs for future CMOS
- JESúS DEL ALAMO, ALON VARDI, XIN ZHAO, 美国麻省理工学院
SOI:
为制造GaN高电子迁移率晶体管打下良好基础
SOI: A great foundation for the GaN HEMT
- HSIEN-CHIN CHIU, LI-YI PENG, HSIANG-CHUN WANG, HOU-YU WANG, 台湾长庚大学G.-Y. LEE, JEN-INN CHYI, 台湾国立中央大学
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粤公网安备 44030402004706号
目前制造LED基的白色光源和全色彩显示器的白色光源两种主要制造方法都存在着根本性的缺陷。如果白光是由被封装在一个器件内单独的红色、绿色和蓝色LED进行混色而产生的话，该器件则必须将AlGaInP基红光LED与GaN 基绿光和蓝光LED集成起来才行，要将这些不同类型的LED进行配对结合将面临着挑战，这是因为它们在电学特性和材料性质上存在着很大的差异。它的主要替代方法也存有很大的缺陷，在这种情况下，蓝光LED上就只能加上黄色荧光粉涂层，由光色混合来得到白光的效果。然后将是一个效率上的妥协问题，这是由于在蓝光到黄光的转换过程中光子会发生级联损失。