本期内容
2016年第二期
封面故事 Cover Story
GaN突破了RF功率源在主流市场应用中的价格/性能壁垒
GaN Breaks the Price/Performance Barrier to Mainstream Adoption for RF Energy Applications
Mark Murphy, MACOM公司高级营销总监
编者话 Editorial
编者话
Editor's Note
市场 Market
深紫外光LED: 大批量生产之路
Deep UV: the road to mass production
GaN器件在雷达上的应用
Extreme GaN
海威华芯打通砷化镓生产线
HiWAFER gets through GaAs foundry production line
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
掌控好III-V族与硅材料的结合
Mastering the marriage of III-Vs and silicon
- Qiang Li和 Kei May Lau, 香港科技大学
用垂直结构提升GaN功率器件的性能
Perfecting GaN power electronics with vertical devices
- IsikKizilyalli, AVOGY
用于未来集成电路的纳米线FET
Nanowire FETs for future logic
- Richard Stevenson
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粤公网安备 44030402004706号
射频（RF）和微波领域一直以来都是半导体技术的一个小分支。其目标在于满足从消费无线电子设备到军用雷达等复杂应用中的特殊需求。如同对其他技术一样，我们对它们进行评估，依据是这种半导体技术的性能、可靠性和成本属性。它们在RF领域中的应用，已经有了一系列的半导体解决方案能以合适的成本结构来应对这种特殊技术上的挑战。