本期内容
2012年11月刊
封面故事 Cover Story
延长电池续航时间
Boosting battery life
- chris Novak；美国RFMD公司3G 4G解决方案总经理
编者话 Editorial
编者话
Editorial
市场 Market
改变 GaAs行业的格局
Shifting landscapes in the GaAs industry
- Richard Stevenson
带嵌入式RF无线控制�？榈牡婆萁嵴樟�2013年的市场
RF-embedded light bulbs lighting market in 2013
- Phillip Maddocks, Market Analyst, Connectivity, IHS IMS Research
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
在200mm硅衬底上以无金兼容CMOS的方式加工AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
Au-free CMOS-compatible AlGaN/GaN HEMT processing on 200mm Si substrates
- Brice De Jaeger, Marleen Van Hove, Stefaan Decoutere; Imec
下一代功率器件: SiC和GaN谁将笑傲江湖？
SiC and GaN electronics: where, when and how big?
- Richard Eden, IHS IMS Research
欧洲正致力将氮化物HEMT器件提高到一个新的水平
European efforts propel nitride devices to a new level
突破光伏芯片的限制
Lifting limitations in photovoltaics
- Richard Stevenson
产业要闻 Industry News
产业要闻
Industry News
广告索引 Advertisement Index
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粤公网安备 44030402004706号
我们正处在一场连接与移动技术革命之中。对于当今最先进手机的设计人员来说，他们面临的难题同样是其前辈们曾经苦于应付的，就是要想方设法地延长电池两次充电之间的间隔时间。