本期内容
2012年8月刊
封面故事 Cover Story
绿光的挑战
The challenges for going green
- Dmitry Sizov、Rajaram Bhat、Chung-En Zah；康宁公司
编者话 Editorial
编者话
Editorial
市场 Market
LED产能是真的饱和了吗？
Is LED capacity really saturated?
-Dkins Cho, Senior Analyst, LEDs and Lighting, IHS IMS Research; Alice Tao, LED Market Analyst,IHS IMS Research
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
科技前沿 Research Review
技术 Technology
离子束蚀刻
Ion beam etching
-Sebastien Pochon 博士、David Pearson 博士；牛津仪器公司等离子技术部
氧化镓:
挑战传统的宽禁带半导体材料
Gallium oxide trumps traditional wide bandgap semiconductors
-Masataka Higashiwaki, 日本国家信息与通讯技术研究所（NICT）
棱锥结构引领单片式白光LED迈向光明
Pyramids pave the way to monolithic white LEDs
-Taek Kim、Joosung Kim和Moonseung Yang; 三星公司
硅器件与Ⅲ-Ⅴ族器件发展路线图
III-Vs and the silicon roadmap
-Richard Stevenson PhD, Consultant Editor of Compound Semiconductor
产业要闻 Industry News
产业要闻
Industry News
产品橱窗 Product Showcase
产品橱窗
Product Showcase
广告索引 Advertisement Index
广告索引
Advertisement Index
粤公网安备 44030402004706号
GaN绿光半导体激光器与红光及红外III-V族半导体激光器的差别非常大：前者器件中的材料处于应变状态，而且为强大的内部电场及显著的能带偏移所困扰。但如果你能深入理解这些特性并加以利用，就有可能设计出高效率的绿光半导体激光器填补绿色鸿沟（Green-gap）。