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三星为HBM4E引入全新供电架构，缺陷率降低97%
2026/3/4 13:12:48
据韩媒报道，三星预计将从今年HBM4E量产开始，推出全新的供电架构。该方案通过对芯片内部供电网络进行分割与重新布局，实现了供电结构的全面重构。
报道称，当前HBM设计中存在的结构缺陷，包括布线过于复杂、供电布局高度集中。现有产品基底芯片的供电网络集中在中介层附近呈蜂窝状的大型MET4金属块区域，而向HBM堆叠体供电的上层布线则逐渐收窄。这种从宽幅供电块向窄径布线的过渡会形成供电瓶颈，类似道路并线时出现的交通拥堵。
为解决上述问题，三星推出了供电网络分割方案：将大型MET4供电块拆分为四个较小的区域，并对上层布线进行进一步分割，以此缓解供电拥堵。报道强调，重新设计后的布线方式更直接、高效，最大限度减少了从供电凸点到用电终端的不必要绕路。
三星数据显示，在全新的供电网络设计下，HBM4E的金属电路缺陷率较HBM4降低97%，电压压降问题改善41%。压降的降低拓宽了电压余量，不仅能支持芯片实现更高的运行速率，还能提升整体的芯片可靠性。
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