比利时研究和创新中心Imec宣布，Aixtron、GlobalFoundries、KLA Corporation、Synopsys和Veeco成为其300毫米GaN开放式创新计划的首批合作伙伴，该计划适用于低压和高压电力电子应用。该计划是imec关于GaN电力电子的工业联盟计划（IIAP）的一部分，旨在开发300mm GaN外延生长以及低压和高压GaN HEMT工艺流程。使用300mm衬底不仅可以降低GaN器件的制造成本，还可以开发更先进的电力电子器件，例如用于CPU和GPU的高效低压负载点转换器。

Imec氮化镓电力电子项目研究员兼项目总监Stefaan Decoutere表示：“过渡到300毫米晶圆的好处不仅仅是扩大生产规模和降低制造成本。我们兼容CMOS的GaN技术现在可以使用300毫米最先进的器件，这将使我们能够开发更先进的基于GaN的功率器件。例如，用于负载点转换器的扩展低压 p-GaN栅极HEMT，支持CPU和GPU的节能配电。”

作为300mm GaN计划的一部分，将首先使用300mm Si（111）作为衬底，为低压应用（100V及以上）建立横向p-GaN HEMT技术平台基准。为此，以p-GaN蚀刻和欧姆触点形成为中心的工艺模块工作正在进行中。后续，高压应用成为目标。对于650V及以上，开发使用300mm规格和CMOS兼容的QST工程基板（一种具有多晶AlN磁芯的材料）。在开发过程中，对300毫米晶圆弓形及其机械强度的控制是首要关注的问题。

300mm GaN计划的推出是在成功的300mm晶圆处理测试和掩模组开发之后推出的。Imec预计到2025年底，其洁净室将安装完整的300毫米开发设备。Stefaan Decoutere补充道：“300毫米氮化镓开发的成功还取决于建立强大的生态系统并共同推动从300毫米氮化镓增长和工艺集成到封装解决方案的创新的能力。因此，我们很高兴地宣布Aixtron、GlobalFoundries、KLA Corporation、Synopsys和Veeco成为我们300毫米氮化镓开放研发计划的首批合作伙伴，并希望尽快欢迎更多合作伙伴。因为开发先进的氮化镓电力电子器件需要设计、外延、工艺集成和应用之间的紧密耦合——事实证明，这种耦合对于我们在200毫米氮化镓方面的开创性工作至关重要。”

基于氮化镓的快速电池充电器的市场采用已经凸显了氮化镓技术在功率转换方面的颠覆性潜力。外延生长、器件和IC制造、可靠性和系统级优化方面的不断进步正在为新一代紧凑、轻质和节能的电力电子设备铺平道路，这些电力电子器件的性能优于传统的硅基解决方案。应用范围从电动汽车中的车载充电器和 DC/DC 转换器到电信基础设施和人工智能数据中心的太阳能逆变器和配电系统，氮化镓创新正在推动全球脱碳、电气化和数字化工作。