技术文章详细内容
向下一代半导体的研究更进一步？
2022/6/17 7:54:14 材料来源：化合物半导体
韩国研究小组使用Cl掺杂的二硒化锡选择性地控制半导体器件的电性能
韩国科学技术研究所（KIST）宣布，由光电材料和器件中心的Do Kyung Hwang和昆山国立大学物理系的Kimoon Lee领导的联合研究小组已成功实施基于2D半导体的电子和逻辑器件，通过开发一种新型超薄电极材料（Cl-SnSe2），可以自由控制其电性能。
联合研究小组能够使用Cl掺杂的2D电极材料——二硒化锡（Cl-SnSe2）选择性地控制半导体电子器件的电性能。
研究人员表示，很难用传统的2D半导体器件实现互补逻辑电路，因为由于费米能级钉扎现象，它们只表现出n型或p型器件的特性。
相反，如果使用联合研究小组开发的电极材料，则可以通过最小化半导体界面的缺陷来自由控制n型和p型器件的特性�；痪浠八担玫ジ銎骷敝葱衝型和p型器件的功能。因此，不需要单独制造n型和p型器件。
通过使用这种器件，联合研究小组成功地实现了一种高性能、低功耗、互补的逻辑电路，可以执行不同的逻辑操作，如NOR和NAND。
Hwang表示，“这一发展将有助于加速下一代系统技术的商业化，如人工智能系统，由于传统硅半导体器件的微型化和高度集成带来的技术限制，这些技术很难在实际应用中使用。”
他还预计，“开发的2D电极材料非常薄；因此，它们具有很高的透光率和柔韧性。因此，它们可以用于下一代柔性和透明半导体器件。”
参考文献
'Fermi-Level Pinning-Free WSe2 Transistors via 2D Van der Waals Metal Contacts and Their Circuits' by Jisu Jang et al; Advanced Materials (2022)
声明：本篇文章属于原创，拒绝转载，如果需要转载，请联系我们，联系电话：0755-25988571。
| 上一篇：用磁共振方法发现SiC缺... | 下一篇：SiC晶体生长进入电阻炉... |
粤公网安备 44030402004706号