新型热原子层刻蚀技术制造创纪录性能的极小型 InGaAs FinFET
2020/5/12 13:08:15 材料来源：CSC化合物半导体
作者：Wenjie Lu, Younghee Lee, Jesús Del Alamo, Steven George;
麻省理工学院和科罗拉多大学博尔德分校
过去的五十年，硅基CMOS的尺度缩小驱动着微电子技术的革命。随着器件尺寸的缩小，晶体管的性能不断提高，很好地维持了摩尔定律。目前的问题是，这种情况还能持续多久？
整个20世纪，CMOS技术的进步来自于平面晶体管尺寸的缩小。但最近，CMOS的设计思路已发生了改变。调整包括了三维结构的引入，这给生产带来了严峻的新挑战，特别是在最新的例如FinFET的硅基多栅极晶体管的制造中，新挑战的解决显得尤为重要。这类新型晶体管的尺寸大小已经达到了低于10 nm的水平——例如，最新的Intel 10 nm FinFET的鳍片仅具有7 nm宽。
如此小型化是人类在技术发展上的非凡一步，这甚至在十年前都是无法想象的。这不仅是简单地减小FinFET宽度——同时为了满足高电流密度需求，鳍片还必须足够高，如此虽然可以满足性能指标，但结构非常脆弱。
现代FinFET器件的另一个特性是其表面积决定了其性能，要确保其正常工作，就必须具有高质量的MOS接口。 为了实现伴随尺度持续缩小的这个需求，刻蚀技术必须能够支持亚纳米级的精度和准确度，同时又能制备高度完美的界面，这是当今主流刻蚀方法无法企及的。
热原子层刻蚀
在硅晶圆厂中，图案化微米级和纳米级结构的最常见方法是等离子刻蚀。 自1970年代开始使用以来，CMOS制造中的这一基本制造技术，已经发展得越来越完善。但是，这项技术也只是止步于此。新的刻蚀技术需要具有更高的环境友好性和多功能性，同时能实现亚单层刻蚀控制，以满足晶圆厂生产10纳米以下的3D结构晶圆的需求。
近来，一种新刻蚀技术引起了人们的广泛关注。原子层刻蚀技术，或简称为ALE，是当今最先进的刻蚀技术。该技术实质上是原子层沉积（ALD）的逆过程，基于两个自限性过程：通过反应物质修改器件表面；然后，选择性地刻蚀修改过的表面，保留下面未接触的基底。
ALE可以细分为两种类型。一种更通常熟知为等离子体原子层刻蚀技术，在过去几年已经取得了很大的进展，涉及利用反应性等离子体例如Cl2等离子体对表面进行修改，然后将高能的离子或中性粒子例如氩等离子体引入腔室来进行刻蚀。这种刻蚀技术是各向异性的——即有方向性——在很多图案转移中的有实用属性。
另一种是热原子层刻蚀技术。它不用等离子体，而是替代性地通过化学配体交换过程去除材料。其反应过程非常相似于原子层沉积，即通过将化学前体脉冲引入反应器中以完成两个独立的自限步骤。与ALD技术相似，热原子层刻蚀是各向同性的过程。热ALE技术比等离子ALE技术要年轻得多，2015年被首次提出，被用于刻蚀Al2O3薄膜。从提出至今，该技术的大多数报道都局限于刻蚀电介质、金属和氮化物薄膜等材料。没有器件级的阐述。
III-V型化合物半导体刻蚀
我们与MIT-University of Colorado的合作以弥补对这项技术研究的空缺，使用热ALE工艺来制造晶体管。我们最初的努力指向是开发一种热原子层刻蚀技术来刻蚀III-V族化合物半导体，特别是InGaAs材料。
我们聚焦这种三元材料，是因为它在CMOS逻辑和射频应用方面有应用前景。其优点包括有非常高的电子速度，在更低工作电压下比传统硅基MOSFET实现高性能。最近，这种器件正在迅速发展，我们2017年阐述了InGaAs基 FinFET的鳍片宽度已经低至7 nm。
但是，直到2018年前后，我们实验获得的InGaAs FinFET的性能仍与预想中的相去甚远，这主要是MOS接口质量较差造成的。
在深入探究我们的工作详情之前，我们想先指出ALD的引入对III-V晶体管的性能产生了巨大影响。在十年前，这种沉积技术就已被引入III-V族MOSFET工艺。由于自清洁效应，这项技术有助于减轻氧化物-半导体界面处的表面费米能级钉扎问题。
从那时起，InGaAs MOSFET的性能飞速增长。但是，问题仍然存在。制造FinFET需要对沟道侧壁进行激进的等离子刻蚀，而这可能是造成电子传输受损的原因，我们旨在通过热ALE技术解决这个问题。
经过一些实验，我们为III-V族材料开发了一种有效的热ALE工艺。前半个循环是使用气态氢氟酸的表面氟化步骤，后半个循环是配体交换过程，去除了表面金属氟化物（具体过程参见图1）。使用二甲基氯化铝去除金属氟化物，刻蚀过程中产生的易挥发性产物也会在300℃高温下除去。如果我们需要增加刻蚀的深度，我们只需重复该循环即可。
图1. InGaAs热原子层刻蚀的完整循环示意图。在第一个半周期中，对InGaAs表面进行氟化处理，并形成金属氟化物。在第二个半循环中，通过配位体交换过程去除了金属氟化物。 每个半周期内形成的挥发性刻蚀产物都会被除去。
在300℃的试验中，对于InGaAs和InAlAs，刻蚀速率分别确定为0.2Å/循环和0.6Å/循环。相比之下，常规的自限制刻蚀方法例如数字刻蚀通常以1 nm /周期的速率刻蚀，这表明InGaAs热ALE慢了大约50倍。这不是劣势而是优势，因为当这项技术用于深纳米级器件制造时，它可提供前所未有的刻蚀控制和精度。
更令人兴奋的是，ALE和ALD存在工艺相似性使得能够在同一反应器中实现这两种工艺。这样使我们可以实施原位ALE-ALD复合工艺，是在FinFET中形成MOS栅极叠层的理想工艺。我们使用以无等离子体、各向同性方式热ALE工艺完成刻蚀鳍片侧壁，然后采用ALD工艺沉积栅极电介质和金属材料进行覆盖。
这种方法大有前景。它完全可以防止MOS界面暴露于空气中，并且工艺十分灵活。决定将化学前体引入反应器之后，可以在刻蚀和沉积之间自由切换。借助这些优势以及制程高可控性，该工艺提供了纳米级器件制造的新方法，有助于显着提高晶体管性能。
图2. 通过ALE-ALD复合工艺制造的（顶部）InGaAs鳍片（鳍宽度为3 nm至30 nm）和（底部）最小的被隔断的InGaAs鳍片（横截面为3 nm）的横截面透射电子显微镜图像
为了显示ALE-ALD复合工艺的优势，我们使用了这种技术来制造了一系列InGaAs-Al2O3-W环绕式栅极鳍式结构。这些器件均采用原位ALE-ALD复合工艺形成，其InGaAs鳍片的宽度范围从30 nm到仅3 nm（见图2）。我们发现，当鳍片宽度小于20 nm时，由于InGaAs和InAlAs之间的ALE选择性，InGaAs沟道被完全悬置。同时，原位复合工艺还在InGaAs和Al2O3层之间形成了非常清晰的界面，这让我们通过热ALE创制第一个晶体管充满巨大的期望。
小型化FinFET
使用原位热ALE-ALD复合技术，我们制造了一系列InGaAs FinFET，鳍片高度为50 nm、宽度为18 nm至2.5 nm（图3为这些晶体管透射电子显微镜剖面）。制造这些极度缩小的III-V FinFET器件的关键在于热ALE极低的刻蚀速率。请注意，FinFET具有HSQ硬掩模，该掩模用于鳍式反应离子刻蚀，并保留在成品晶体管中，以及一个由3 nm的HfO2和30 nm的钨组成的叠层栅极。最小栅极长度为60 nm。
图3. 鳍片宽度为2.5 nm，长度为50nm的InGaAs FinFET的横截面透射电子显微镜图像。（鳍片上部的特写照片。）
ALE工艺的优点不仅在于制造极小的器件，还在于性能上的显着提高，这是由于关键氧化物半导体界面没有暴露于空气，它常出现在制造工艺中。在我们的InGaAs FinFET上进行的测量表明，即使对于2.5 nm宽的鳍片（见图4），晶体管的性能也很好。对于这些晶体管，在线性和饱和区域下，亚阈值斜率分别仅为60和62 mV /decade。这些接近理想的数值体现了这些器件快速关断的能力，其源于高质量的MOS界面。
图 4. 通过原位热ALE-ALD工艺制造的InGaAs FinFET的输出和亚阈值特性。
FinFET的栅极长度为60 nm，鳍片宽度为2.5 nm（顶行）和6 nm（底行）。
所有品质因数均通过导电栅极外围进行归一化。
我们发现，鳍片宽度的差异会导致跨导最大值的变化，这是晶体管导通行为的一种度量。在0.5 V的漏源电压下，对于2.5 nm鳍片最大跨导为0.85 mS /μm，而对于6 nm鳍片的器件最大跨导增加到1.2 mS /μm——后者表现出色的静电性能。对于所有器件，截止状态电流受栅极泄漏的限制。
为了评估该工艺的优势，我们将所制造的FinFET与上一代InGaAs FinFET的特性参数进行了比较。两组晶体管具有相同的器件设计，除了新的热ALE工艺外，它们的制造方式也相同。
绘制最大跨导和亚阈值斜率为关于鳍片宽度的函数，发现两种类型的FinFET具有相似的变化规律（见图5）。此外，还表明热ALE工艺可以使跨导整体提高60％，并降低了饱和亚阈值斜率。对于新型InGaAs FinFET，线性和饱和状态下的平均亚阈值斜率分别为70和74 mV / dec。相比之下，上一代器件的亚阈值斜率，在鳍片宽度为5 nm时略低于100 mV，而在25 nm时则几乎是5 nm时的两倍。在采用ALE-ALD复合工艺制造的器件中，随着鳍片宽度的增大亚阈值斜率变化很小。
我们还观察到采用ALE / ALD工艺的漏致势垒降低效应持续减少，包括势垒的降低。这一发现以及最大跨导值和亚阈值斜率值，体现了静电控制的极大增强，因为热ALE-ALD工艺获得了高质量的MOS界面。
为了评估最新的InGaAs FinFET的性能，我们已经将它们的峰值跨导与其他最新的InGaAs FinFET进行对标。文献评述显示，在鳍宽度小于20 nm，我们制造的III-V族 FinFET的峰值跨导都达到了创纪录的水平。
我们还将我们的器件与商用硅FinFET进行了比较。对于7 nm鳍片宽度，对应于14 nm和10 nm节点，我们的InGaAs FinFET与英特尔的14 nm节点FinFET的性能相当。考虑到我们的器件具有较低工作电压——InGaAs的VDD为0.5 V，而硅为0.7 V——以及更长的栅极长度，这是一个了不起的结果。
图 5. 在有和没有热ALE-ALD工艺的情况下，VDS = 0.5 V时InGaAs FinFET的跨导（左）和亚阈值斜率（右）与鳍片宽度的关系图。所有FinFET的栅极长度均为60 nm。
鉴于是首次使用热ALE工艺制造晶体管，结果是很令人鼓舞的。它们令人期待，同时强调了热ALE工艺可用于改进其他纳米电子器件的潜力。这项技术的用途非常广泛：可以应用于很多材料和器件结构，例如垂直纳米线；同时，这项技术为工程师提供新机会设计和制造原子级器件。正如费曼所说的：“底部有足够的空间�。�There’s plenty of room at the bottom!）”
扩展阅读
1. W. Lu et al. “First Transistor Demonstration of Thermal Atomic Layer Etching: InGaAs FinFETswith sub-5 nm Fin-width Featuring in situ ALEALD”, IEEE IEDM, 2018.
2. K. J. Kanarik ACS J. Phys. Chem. Lett. 9 481(2018)
3. J. A. del Alamo Nature 479 317 (2011)
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