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TriQuint推出四款新放大器，采用创新封装来简化组装

     

中国 上海 － 2012年12月20 日 － 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器�？�，提供高输出功率、增益及效率，覆盖频率范围为6-38 GHz。其中每款新放大器的封装都更方便进行组装，包括支持多层印刷电路板布局的设计。TriQuint新的放大器是用于点对点微波无线电和极小口径终端 (VSAT) 等商业应用的理想选择。

这四款新放大器包括：TGA2502-GSG（3.6W [CW]，13-16 GHz，适用于VSAT系统）；TGA2575-TS（3W [CW]，32-38 GHz，适用于通信系统）；TGA2704-SM（7W [CW]，9-11 GHz，适用于微波无线电）以及TGA2710-SM（7W [CW]，9.5-12 GHz，亦适用于微波无线电）。

The TGA2575-TS is the latest addition to TriQuint’s Die-on-Tab product family, which makes it easier for manufacturers to handle die-level devices and assemble components by placing semiconductor FETs or MMIC amplifiers on thermal spreadTGA2575-TS是TriQuint的Die-on-Tab产品系列的最新成员，它令制造商更易于通过将半导体FET或MMIC放大器放在均热器上来处置晶粒级器件和组装元件。通过真空回流焊工艺建立晶粒和基础之间的焊接。这些焊接几乎无空隙且热稳定性很高。TGA2575-TS和所有die-on-tab产品都在工厂进行严格检验，来提供全面质量保证和更高的有效产率。

技术规格: 新封装砷化镓pHEMT解决方案

TGA2502-GSG

13-16 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器：2.8W；20dB大信号增益；25dB小信号增益；效率为25%；在1.3A为7V；14引线法兰贴装封装。

TGA2575-TS

32-38 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器：3W；19dB小信号增益；功率附加效率为22%；在2.1A为6V。TGA2575晶粒贴装在一个8.92x5.31mm的均热器上。

TGA2704-SM

9-11 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器：7W；19dB大信号增益；22dB 小信号增益；功率附加效率为40%；在1.05A为9V；7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。

TGA2710-SM

9.5-12 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器：7W；19dB大信号增益；20dB小信号增益；功率附加效率为36%；在1.05A为9V；7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。

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