7月2日，英飞凌在官网宣布，其基于12英寸晶圆的可扩展氮化镓制造技术进展顺利，首批样品将于2025 年第四季度向客户提供。

据了解，英飞凌已能在现有大批量制造基础设施内成功开发12英寸氮化镓功率晶圆技术。英飞凌表示，他们已做好准备，将扩大客户群，进而巩固其市场地位。

英飞凌GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“英飞凌全面扩展的12英寸氮化镓制造能力将使我们能够更快地为客户提供最高价值，同时逐步实现同类硅和氮化镓产品的成本平价。”

据调研发现，目前6英寸仍是氮化镓晶圆厂的主流规格，仅有英诺赛科等少数企业实现了8英寸氮化镓晶圆制造，生产8-12英寸硅基氮化镓晶圆的难点主要为外延缓冲层设计，为了更好地解决晶格失配、热失配和应力问题，通常需要在衬底上沉积很厚的缓冲层，这大大提高了高良率生产的难度和效率。

不过，此前英飞凌已经实现了超薄12英寸硅功率晶圆的突破性进展，厚度为20μm，仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。尽管该技术是应用于硅晶圆，但有很大可能会导入到氮化镓晶圆生产。