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突破技术壁垒！合盛硅业成功研发12英寸碳化硅晶体
材料来源：合盛硅业
近日，合盛硅业股份有限公司下属单位宁波合盛新材料有限公司成功研发12英寸（300mm）导电型碳化硅（SiC）晶体，并启动切、磨、抛等加工技术的研究。经过多年的潜心研究与深入钻研，宁波合盛新材料成功攻克了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料制备到单晶碳化硅生长、衬底加工等全流程的核心技术难关。
过去的2024年，公司在碳化硅材料领域取得了重要突破，8英寸碳化硅衬底及已实现规�；坎�。这是公司碳化硅项目研究过程中的重要里程碑，标志着合盛硅业在大尺寸碳化硅晶体、晶片制备技术上已跻身国际先进水平。但合盛硅业并没有满足于此，2025年5月，其在更大尺寸晶锭和衬底制备方面也实现较大进展，已突破12英寸的SiC长晶技术。
12英寸晶片
12英寸晶锭
全球碳化硅扩产持续，供应竞争激烈，国际龙头企业纷纷布局8英寸衬底。目前国际SiC商业化碳化硅衬底以6-8英寸为主，国内企业也开始发布12英寸晶体或衬底。合盛硅业基于自主设计的SiC单晶生长炉以及多年的技术攻关，创新坩埚设计，使用多孔与涂层石墨技术，实现超大晶体所需的高通量生长。
12英寸切割片
12英寸晶体直径
碳化硅具有高硬度、高熔点、化学稳定性强等特点，加工难度远高于传统硅材料，12英寸碳化硅（SiC）晶体的成功研制在半导体产业发展中具有里程碑式的重大意义。大尺寸晶体所生产的晶圆意味着单位面积出芯片数能够大幅提升，极大地减少了因晶圆边缘区域无法充分利用而造成的材料浪费，有效降低了功率器件的制造成本，提升经济效益。同时，SiC器件广泛用于新能源汽车、光伏发电、5G通信等高效能产业，对能效和体积优化至关重要。大尺寸晶圆的突破将加速这些产业的升级换代。
在全球碳化硅扩产加速、供应竞争激烈的大环境下，国际与国内企业的不同布局策略反映了产业发展的多元态势。合盛硅业在技术创新上迈出的坚实一步——首次实现12英寸导电型碳化硅晶体生长技术突破，推动国产SiC产业链迈入新纪元，更为行业突破国际技术壁垒、实现自主可控发展提供了宝贵的经验和示范。
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