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总投资超200亿！长飞先进武汉基地正式投产
材料来源：长飞先进
据“长飞先进”官微消息，5月28日，长飞先进武汉基地首片晶圆从生产车间成功下线，标志着总投资超200亿元的长飞先进武汉基地正式投产，全面进入量产倒计时。
据悉，长飞先进武汉基地坐落于东湖高新区光谷科学岛，于2023年9月1日正式破土动工。此前消息显示，该基地占地面积498亩，聚焦第三代半导体功率器件研发与生产。其中一期总投资80亿元，占地344亩，达产后将具备年产36万片外延、36万片6寸碳化硅晶圆、6100万个碳化硅功率�？榈闹圃炷芰�，产品将主要用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。同时，配套全产业链实验室，可完成材料分析、可靠性测试、失效分析等全流程检测，致力于打造车规级芯片设计、制造及先进技术研发一体化的现代化半导体制造基地。
长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚介绍，除了目前下线的首款晶圆之外，长飞先进武汉基地还有8款产品正在验证阶段，年底有望达到12款，项目满产后可满足144万辆新能源汽车对高端芯片的需求。
据介绍，武汉基地目前已全线配备6/8英寸兼容设备，对标国际碳化硅器件大厂。同时构建了完善的工艺流程和完整的工艺平台，可提供全面的工艺开发与技术解决方案�；菇ǔ闪颂蓟栊幸档谝患胰远斐蛋嵩斯こ�(Auto3)，可实现生产资源的高效利用，最大化发挥制造效率。
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