Cambridge GaN Devices：利用 GaN 技术彻底改变电力电子技术
材料来源：Everything PE
Cambridge GaN Devices（CGD）成立于2016年，是一家总部位于英国剑桥的开创性半导体公司。CGD专注于氮化镓（GaN）功率器件，致力于通过提供节能且易于使用的解决方案来重塑电力电子的未来。该公司的使命是实现更智能、更环保、更紧凑的电源系统，其性能优于传统的硅基技术。CGD的产品组合包括高性能GaN晶体管和集成电路，专为电动汽车（EV）、数据中心、工业自动化和消费电子产品中的应用而设计。该公司已与领先的行业参与者建立了战略合作伙伴关系，包括Chicony Power Technology和Cambridge University Technical Services，以加速GaN技术在全球市场的采用。
技术与创新
Cambridge GaN Devices处于GaN半导体创新的前沿，开发了ICeGaN®技术，这是一种开创性的增强型GaN晶体管平台。与传统的GaN器件不同，ICeGaN 晶体管可以像标准硅MOSFET一样工作，无需专用栅极驱动器或复杂的电压钳位机制。这项创新简化了GaN与现有电力电子设计的集成，使制造商更容易获得。
Cambridge GaN Devices提供各种基于GaN的电源解决方案，以满足电力电子（PE）和电动汽车（EV）行业的需求。该公司的产品类别包括GaN晶体管、功率IC、栅极驱动器和集成功率�？椋姓庑┒贾荚谔岣呦低承屎涂煽啃�。与传统硅MOSFET相比，CGD的ICeGaN®晶体管具有卓越的性能，可提供更高的效率、更低的功率损耗和更快的开关速度。这些晶体管广泛用于EV动力总成、工业自动化和数据中心电源。 Cambridge GaN Devices最近获得了3200万美元的C轮融资，使公司能够将其业务扩展到剑桥、北美、台湾和欧洲。这项投资由British Patient Capital领投，并得到Parkwalk、BGF、Cambridge Innovation Capital、Foresight Group和IQ Capital的支持，将加速CGD的增长和市场渗透。
该公司的最新技术突破Combo ICeGaN®将彻底改变电动汽车动力总成应用，解决传统IGBT和SiC基逆变器效率低下的问题。CGD专有的ICeGaN®技术继续受到关注，行业领先的客户将其解决方案用于高功率工业、数据中心和汽车应用。
CGD还因其对可持续电力电子的贡献而获得认可，其创新预计每年可减少数百万吨的二氧化碳排放。该公司对能源效率和环境可持续性的承诺使其成为全球向更绿色电力解决方案过渡的关键参与者。
未来前景和行业影响
展望未来，Cambridge GaN Devices旨在通过推动基于GaN的电力电子器件在电动汽车、可再生能源系统和工业自动化中的采用来扩大其市场占有率。该公司的ICeGaN®技术有望在降低能耗和提高系统效率方面发挥关键作用，使GaN成为碳化硅（SiC）解决方案的可行替代品。
行业专家预测，CGD的创新将重塑功率半导体市场，预计到2029年，GaN器件的价值将达到20亿美元。随着CGD继续开发下一代GaN解决方案，其对能源效率、系统小型化和成本降低的影响将推动PE和EV技术的重大进步。
Cambridge GaN Devices在基于GaN的电力电子领域处于领先地位，为PE和 EV行业提供高效、紧凑和可持续的解决方案。凭借其突破性的ICeGaN®技术、战略合作伙伴关系和持续创新，CGD将改变电力电子的未来。
| 上一篇：宝马中国宣布接入DeepS... | 下一篇：紫光股份：筹划发行H股... |
声明：本网站部分文章转载自网络，转发仅为更大范围传播。 转载文章版权归原作者所有，如有异议，请联系我们修改或删除。联系邮箱：lynnw@actintl.com.hk
粤公网安备 44030402004706号