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士兰微披露SiC项目最新进展，士兰集宏8英寸线预计Q4通线试产
材料来源：士兰微
4月8日，士兰微发布公告，披露公司SiC项目的最新进展：
“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目
截至目前，士兰明镓已形成月产9,000片6吋SiC MOS芯片的生产能力�；诠咀灾餮蟹⒌蘑虼鶶iC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动�？樵�4家国内汽车厂家累计出货量5万只，客户端反映良好，随着6吋SiC芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。目前，公司已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标接近沟槽栅 SiC 器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。
“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目
截至2024年底，士兰集宏8吋SiC mini line已实现通线，公司Ⅱ代 SiC 芯片已在8吋mini line上试流片成功，其参数与公司6吋产品匹配，良品率明显高于6吋。士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶，正在进行净化装修，预计将在2025年4季度实现全面通线并试生产，以赶上2026年车用SiC市场的快速成长。
士兰微表示，当前，在国家政策持续支持，以及下游电动汽车、新能源、算力和通讯等行业快速发展、芯片国产替代进程明显加快的大背景下，公司将加快实施“一体化”战略，持续加大对模拟电路、功率半导体、MEMS 传感器、包括 SiC、GaN 在内的第三代化合物半导体等方面的投入，大力推进系统创新和技术整合，积极拓展汽车、新能源、工业、通讯、大型白电、电力电子等中高端市场，不断提升产品附加值和产品品牌力，持续推动公司整体营收的较快成长和经营效益的提升，努力为国家集成电路产业发展做出贡献。
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