德州仪器新增首款200V抗辐射GaN FET驱动器
材料来源：PEW
太空级半桥 GaN FET 栅极驱动器有助于缩小卫星尺寸
德州仪器公司(Texas Instruments) 宣布推出全新的抗辐射和耐辐射半桥 GaN FET 栅极驱动器系列。
该系列栅极驱动器包括业界首款支持高达 200V 工作电压的太空级 GaN FET 驱动器。这些器件采用引脚对引脚兼容的陶瓷和塑料封装，支持三个电压等级。
德州仪器空间电力产品公司的产品线经理Javier Valle说：“卫星执行关键任务，从提供全球互联网覆盖到监测气候和航运活动，使人类能够更好地理解和导航世界。”
“我们的新产品组合可使低轨道、中轨道和地球同步轨道上的卫星在恶劣的太空环境中长时间运行，同时保持高水平的电源效率。”
200V GaN FET 栅极驱动器适用于推进系统和太阳能电池板的输入功率转换。60V 和 22V 版本适用于整个卫星的功率分配和转换。
德州仪器的GaN FET 栅极驱动器为三种电压水平提供不同的太空认证封裝选项，包括 辐射硬化；分别采用塑料和陶瓷封装的 (QML：Qualified Manufacturers List) P 级和 QML V 级。
德州仪器系統工程師 John Dorosa 将于 2025 年 3 月 18 日 (星期二) 在佐治亚州亚特兰大举行的应用电力电子会议上发表《如何轻松地将硬转换全桥转换为零电压转换全桥》的演讲。该行业会议将介绍德州仪器的 TPS7H6003-SP 栅极驱动器。
TPS7H6003-SP、TPS7H6013-SP、TPS7H6023-SP 和 TPS7H6005-SEP 现已量产。此外，TPS7H6015-SEP 和 TPS7H6025-SEP 也已开始试生产，TPS7H6005-SP、TPS7H6015-SP 和 TPS7H6025-SP 将于 2025 年 6 月前上市。
开发资源包括所有九款器件的评估�？橐约安慰忌杓坪头抡婺Ｐ�。
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