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重庆IGBT项目即将试产，年产能120万片
材料来源：涪陵高新区综保区
1月17日，据“涪陵高新区综保区”报道，重庆新陵微电子有限公司正在紧锣密鼓地安装设备，预计2025年二季度将实现整线通线，进行试生产。
据介绍，新陵微电子是由宁波达新半导体有限公司与涪陵区新城区开发（集团）有限公司共同投资，于2022年7月成立的一家从事功率半导体芯片制造的高科技企业，注册资本2亿元。
重庆新陵微电子在涪陵高新区投资计划建设一条具备70微米的超薄背面工艺和正面Trench技术的6英寸车规级晶圆生产线。主要产品包括IGBT、MOSFET等功率半导体芯片，产品应用将覆盖新能源汽车、智能电网、光伏储能、风力发电、工业应用、白色家电等领域。
据了解，目前，新陵微电子的洁净车间装修已基本完成；配套设施装修已部分完工，预计一季度完成；首批7台设备已经成功搬入厂区，设备搬入陆续进行中。预计一季度实现背面工艺通线，二季度实现整线通线，并进行试生产。预计2027年完全达产后年产约120万片6寸晶圆，有助于满足国内对高端功率半导体芯片的迫切需求。
除了重庆项目外，据达新半导体副总经理张海涛的最新演讲，宁波达新半导体成立于2013年，历经十多年的发展，已经从一家设计公司发展到现在成为一家IDM企业，目前在重庆拥有一座晶圆厂，在义乌拥有一座模块封装厂，正在济南建第二座晶圆厂和第二座模块封装厂。张海涛表示，“我们目前的货架产品都是硅基器件，而且95%以上都是硅的IGBT，目前的在途产品有碳化硅MOSFET产品。”
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