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氮化镓芯片制造商英诺赛科成功上市
材料来源：英诺赛科
据英诺赛科官微消息，12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市。
据了解，英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可广泛应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。
据悉，英诺赛科此番战略配售，吸引了包括意法半导体（STMicroelectronics）、江苏国企混改基金、东方创联以及苏州高端装备在内的4名基石投资者，合共认购了1亿美元的发售股份，其中意法半导体认购半数。
根据计划，英诺赛科拟将约60%的募资资金所得款净额用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、购买及升级生产设备及机器以及招聘生产人员，计划从截至2024年6月30日的每月12500片晶圆增加至未来五年的每月70000片晶圆。另外，募资资金所得款净额约20%将用于研发和扩大氮化镓产品组合，进一步提高终端市场中氮化镓产品的渗透率；约10%用于扩大氮化镓产品的全球分销网络；约10%用于营运资金及其他一般企业用途。
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