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青禾晶元引领创新：高质量晶圆级绝缘体上碳化硅（SiCOI）制备取得重大突破
材料来源：iSABers青禾晶元
近日，国内领先的半导体材料异质集成技术企业青禾晶元宣布，在绝缘体上碳化硅（SiC-on-Insulator，简称SiCOI）材料的制备技术上取得了重大突破，成功实现了高质量晶圆级SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的规模化生产。这一成就不仅标志着青禾晶元在半导体材料领域的科研实力和技术创新能力达到了新的高度，更为我国乃至全球半导体产业的发展注入了强劲动力。SiCOI作为一种具有优异性能的半导体复合材料，结合了碳化硅（SiC）的高导热性、高击穿电压的优势和绝缘体的良好电学隔离性能，被广泛应用于集成光子学、量子光学、功率器件等多个高科技领域。然而，高质量SiCOI材料的制备一直是一项极具挑战性的任务，需要解决晶圆键合、微纳加工等多个技术难题，业内前期探索主要是小尺寸样品的制备尝试。
青禾晶元凭借其在半导体材料领域的深厚积累和不断创新的精神，成功攻克了这些技术难关，实现了高质量晶圆级SiCOI的制备。公司科研人员通过优化晶圆键合质量、完善微纳加工工艺等手段，确保了SiCOI材料的高纯度、高均匀性和高性能，为后续器件的制造和性能提升奠定了坚实基础。青禾晶元此次突破高质量晶圆级SiCOI制备技术，不仅满足了市场对高性能半导体材料的迫切需求，更为我国半导体材料产业的自主可控发展提供了有力支撑。随着SiCOI材料在集成光子器件、量子光源、高功率电子器件等领域的广泛应用，青禾晶元的这一技术成果将有力推动我国相关产业的快速发展和转型升级。展望未来，青禾晶元将继续秉承创新引领的发展理念，深耕半导体材料领域，不断推出更多具有自主知识产权的核心技术和产品。公司将进一步加强与国内外科研机构和企业的合作与交流，融合创新，突破边界，共同推动半导体材料产业的持续健康发展，为全球科技进步和产业升级贡献更多中国智慧和力量。
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