英飞凌为麦田能源提供功率半导体
材料来源：雅时化合物半导体
英飞凌科技股份有限公司向麦田能源供应功率半导体器件，后者是绿色能源行业中增长迅速的领军企业，也是逆变器和储能系统的制造商。双方旨在促进绿色能源的发展。英飞凌将向麦田能源提供CoolSiC MOSFET 1200 V，该产品将与EiceDRIVER栅极驱动器一起用于工业储能应用。同时，麦田能源的组串光伏逆变器将使用英飞凌的IGBT7 H7 1200 V功率半导体器件。
过去几年，全球光伏储能系统（PV-ES）市场高速增长。随着PV-ES市场竞争加剧，提高功率密度已成为成功的关键，如何提高储能应用的效率和功率密度备受关注。英飞凌的CoolSiC MOSFET 1200 V和IGBT7 H7 1200 V系列功率半导体器件采用了最新的半导体技术和设计理念，为工业应用量身定制。
英飞凌科技大中华区高级副总裁兼工业与基础设施事业部负责人于代辉先生表示：“作为功率半导体行业的领军企业，我们很荣幸能与麦田能源紧密合作。我们将使PV-ES应用拥有更高的功率密度和更可靠的系统，从而不断推动脱碳进程。”
麦田能源董事长朱京成先生表示：“得益于英飞凌先进元器件的支持，麦田能源的产品在可靠性和效率方面得到了显著提升。这也是麦田能源重要的增长推动力。英飞凌的技术支持和产品质量不仅增强了我们的竞争力，而且扩大了我们的市场份额。我们对未来充满信心，期待与英飞凌进一步合作，共同推动行业发展，为我们的客户创造更大价值。”
英飞凌的CoolSiC MOSFET 1200 V功率密度高，可将损耗降低50%，并在不增加电池尺寸的情况下提供约2%的额外能源，这对于高性能、轻量化、紧凑型储能解决方案尤为有利。麦田能源的H3PRO 15 kW-30 kW储能系列的所有型号均采用英飞凌的CoolSiC MOSFET 1200 V。得益于英飞凌的卓越性能，H3PRO系列的效率高达98.1%，电磁兼容性（EMC）表现出色；凭借出色的性能和可靠性，H3PRO系列在全球市场的销量迅速增长。
英飞凌的TRENCHSTOP IGBT7 H7 650 V/1200 V系列损耗更低，有助于提高逆变器的整体效率和功率密度。在大功率逆变器项目中，电流处理能力超过100 A的大电流模具封装分立器件可以减少并联IGBT的数量，取代IGBT�？榻饩龇桨�，进一步提高系统可靠性并降低成本；此外，H7系列还具有高品质性能和更强的耐潮湿性，已成为行业标杆。目前，麦田能源的主要工商业机型R Series 75-110 kW采用IGBT7 H7系列分立器件，重新定义了100 kW机型的整体设计，整机效率高达98.6%。分立封装的IGBT7 H7系列功耗低、功率密度高，因此可以简化并优化并联过程中的分流等技术问题。
每个功率器件都需要驱动器，而合适的驱动器可以使设计简单得多。英飞凌提供500多种EiceDRIVER栅极驱动器，典型输出电流为0.1 A—18 A，具有全面的保护功能，包括快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位、击穿�；�、故障报告、关断、过流�；ぃ视糜诎–oolSiC和IGBT在内的所有功率器件。
英飞凌将为麦田能源提供CoolSiC MOSFET 1200 V
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