企业新闻详细内容
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破
材料来源：北京顺义
据报道，中关村顺义园企业北京铭镓半导体有限公司在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领先于国际同类产品标准。
北京铭镓半导体有限公司董事长陈政委介绍，半绝缘型（010）铁掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际可做到25毫米×25毫米尺寸，而铭镓半导体可以做到40毫米×25毫米尺寸，可稳定生产多炉且累计一定库存。导电型（001）锡掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际上可达到4英寸，铭镓半导体已实现大尺寸衬底工艺突破，并将逐步稳定工艺供货。
氧化镓单晶衬底。
氧化镓外延片。
【2024全年计划】
隶属于ACT雅时国际商讯旗下的两本优秀杂志：《化合物半导体》＆《半导体芯科技》2024年研讨会全年计划已出。
线上线下，共谋行业发展、产业进步！商机合作一览无余，欢迎您单击获��！
http://www.xgp4kdr5.cn/seminar/
| 上一篇：利亚德：下半年将推出5... | 下一篇：韩国RFHIC向外延片供应... |
声明：本网站部分文章转载自网络，转发仅为更大范围传播。 转载文章版权归原作者所有，如有异议，请联系我们修改或删除。联系邮箱：lynnw@actintl.com.hk
粤公网安备 44030402004706号