Archer和洛桑联邦理工学院利用SiGe芯片推进量子技术发展
材料来源：雅时化合物半导体
澳大利亚半导体公司Archer Materials在芯片上构建了集成脉冲电子自旋共振（p-ESR）微系统，以检测并分析材料中量子电子自旋操纵的重要迹象，进而推进了其量子芯片项目。
该芯片的尺寸为0.7mm2，采用130nm SiGe BiCMOS技术制造。该芯片与传统的电子自旋共振仪器系统形成鲜明对比，后者通常需要庞大而复杂的装置，需要大量的空间和资源。
瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）是Archer的大学及研究合作伙伴，p-ESR芯片是双方共同开发的，有助于推动Archer向开发量子比特（信息量子比特）器件的方向发展。实现量子比特的控制和读出是量子计算所必需的。
目前，Archer和洛桑联邦理工学院打算使用p-ESR进行复杂的测量，涉及对Archer的碳基12CQ量子材料进行潜在电子自旋操纵。由此，Archer能够探索开发量子传感器、先进光谱仪、分析设备的机会，在打造12CQ量子芯片的道路上开辟新的能力途径。
Archer首席执行官Mohammad Choucair说：“要使量子计算发挥作用，通常需要将量子比特深度冷冻到接近零开尔文的温度才能使其发挥作用。在Archer，我们已经能够在室温空气中实现量子比特功能的前体，即量子相干性，并使独特的12CQ芯片材料达到前所未有的量子相干时间。量子相干时间是固态量子电子器件中处理电子自旋信息的时间窗口。”
电子自旋共振芯片又朝着开发量子比特器件迈进了一步
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