华光光电808nm高功率半导体激光芯片取得重大突破
材料来源：华光光电
近日，华光光电808nm高功率半导体激光芯片研究取得重大技术突破。经过公司研发团队持续地科研攻关，华光光电成功研制出25W高功率高可靠性激光芯片，进一步巩固了公司在半导体激光领域的领先地位，并为国内半导体激光芯片产业升级注入了新的活力。
808nm半导体激光器作为固体激光器的主要泵浦源，在智能制造、工业加工、医疗健康、科研与国家战略高技术等领域发挥着重要作用。随着市场需求的日益增长，高功率、高效率的激光芯片成为行业发展的重要支撑�；夤獾缃艨凼谐÷霾�，聚焦808nm激光芯片的技术迭代，通过外延材料设计与优化、芯片结构优化等方式，成功提升了芯片的内量子效率，降低了腔内光学损耗，并显著提高了腔面的光学灾变损伤阈值。
根据测试，采用华光光电808nm-25W高功率激光芯片封装的COS，最大输出功率超过43W，在CW25A下输出功率26.5W，电光转换效率58%。该芯片在室温25A下可长期保持功率持续稳定输出，充分展现了其高可靠性。
随着这一技术的推广和应用，华光光电的808nm激光器将在智能制造、工业加工、医疗健康、科研与国家战略高技术等领域发挥更大的作用。同时，公司也将继续加大研发力度，不断推出更多具有创新性和领先性的产品，为推动我国激光产业集群的发展贡献更多力量。
808nm-25W单芯片PIV及效率曲线
808nm-25W单芯片寿命曲线
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