ASML：第二台High-NA EUV光刻机开始交付！
材料来源：微电子制造
ASML周三宣布，已开始向另一家客户交付第二台High-NA EUV光刻机。
ASML首席商务官christophe Fouquet在财报电话会议上透露：“关于High-NA或0.55 NA EUV，我们已向客户交付了首套光刻设备，该设备目前正在紧锣密鼓的安装中。本月，我们又启动了第二套设备的发货，安装工作也将紧随其后展开。”
早在2023年底，ASML便开启了向英特尔的首台High-NA EUV光刻设备 Twinscan EXE：5000 的交付工作。
英特尔将借助该系统，深入探索此类机器的操作方式，并计划通过其英特尔 14A 制造工艺将其投入批量生产，虽然这一目标的实现还需数年时间。通过尽早开展对高数值孔径EUV工艺技术的研究，英特尔有望在未来几年内，为下一代光刻技术制定行业标准，从而转化为竞争优势。
Fouquet进一步表示：“在2月份的SPIE行业会议上，我们宣布了位于费尔德霍芬的ASML-Imec High-NA联合实验室所研发的High-NA光刻机正式亮相。目前，我们已经成功捕获了首张分辨率低于10纳米的图像，并有望在接下来的数周内开始晶圆曝光工作。所有High-NA的客户都将能够利用该设备，尽早进行工艺开发。”
尽管台积电和Rapidus似乎并不急于将高数值孔径EUV光刻设备引入大规模生产，但考虑到未来的技术发展趋势，他们仍不可避免地需要采用这一技术。
ASML对这项技术的未来持乐观态度。作为全球最大的晶圆制造工具制造商，ASML正积极研发具备数字孔径高于0.7的投影光学元件的Hyper-NA和EUV光刻工具，力求在技术上实现新的突破。
Fouquet强调：“客户对我们的High-NA系统实验室表现出浓厚的兴趣，因为该系统将协助我们的逻辑和内存客户为将High-NA技术纳入其技术路线图做好充分准备。与0.33 NA系统相比，0.55 NA系统提供了更为精细的分辨率，在保持相似生产率的同时，晶体管密度近乎提升了三倍，从而有力支持了低于2nm的逻辑和低于10nm的DRAM节点的制造需求。”
目前，对于继首家客户后，第二家获得High-NA EUV光刻机的企业，ASML尚未透露详细信息。
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