Qorvo新增E1B封装的1200V SiC模块
材料来源：雅时化合物半导体
Qorvo宣布推出四款采用紧凑型E1B封装的1200V SiC�？椋娇畎肭拧⒘娇钊牛�，RDS(on)最低9.4mΩ。这些�？槭视糜诘缍担‥V）充电站、储能、工业电源、太阳能等应用。
Qorvo SiC功率产品业务产品线营销总监Ramanan Natarajan表示：“这一新系列中的�？榭扇〈啻锼母龇至iC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持其以更高的开关频率工作，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。”
“对我们的客户来说，这些模块的高效率简化了电源设计流程，让他们能够专注于一个模块的设计、布局、装配、特性分析、认证，而不是众多分立元件。”
以9.4mΩ UHB100SC12E1BC3N为首的四款SiC�？榫捎肣orvo的共源共栅配置，旨在最大限度地降低RDS（on）和开关损耗，从而最大限度地提升效率，尤其在软开关应用中。
银烧结芯片贴装将热阻降至0.23°C/W；与“SC”产品型号中的堆叠芯片结构相结合时，其功率循环性能比市场同类SiC功率�？楦�2倍。Qorvo表示，这些特性有助于提高高度集成SiC功率�？榈娜刃阅�、可靠性、易用性、功率密度。
Qorvo提供FET-Jet Calculator和QSPICE软件，有助于产品选择和性能仿真。
新模块系列简化了电源设计流程
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