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基于SiGe技术的新型RF前端�？橥黄菩约际跗教�

     

基于SiGe技术的新型RF前端�？橥黄菩约际跗教�

美高森美(Microsemi)公司发布以硅锗(SiGe)技术为基础的4G RF前端�？�(FEM)突破性技术平台。该公司已采用此创新平台开发下一代IEEE 802.11ac无线网络(WLAN)前端�？椤�IEEE 802.11ac被业界视为第五代WiFi或5G WiFi。

新平台在单一SiGe芯片上集成了多个滤波器、开关、LNA和功率放大器，能支持多重输入/输出(MIMO)功能。高度的集成性能显著降低成本与减少印刷电路板面积，这是设计人员设计智能手机与平板电脑等产品时的重要考虑。

Microsemi的RF前端�？榘礁龉δ芡瓯傅�2.5GHz IEEE 802.16功率放大器、两个发送/接收开关、两个LNA、两个平衡至非平衡的巴伦转换器 (balun)、谐波与噪声整形滤波器，以及一个控制与调谐用的数字接口。以5×5.6mm的封装尺寸,在输出功率为24dBm时，它的性能达到苛刻的802.16mask与EVM要求。

Microsemi的下一代无线网络双频FEM将会整合高线性度的802.11ac兼容2.4GHz与5GHz PA、2.4和5GHz的旁路LNA、开关、滤波器、双工器、以及一个I2C数字接口，尺寸纤小，封装仅有3×4mm QFN大小。

Microsemi, www.microsemi.com

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