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USCi用Aixtron设备开发下一代SiC器件
USCi用Aixtron设备开发下一代SiC器件
Aixtron宣布，位于美国新泽西州普林斯顿的United Silicon Carbide（USCi）已订购其VP2400 Hot-Wall CVD设备。
该订单于2011年第四季度收到，并计划将在2012年第三季度交付。
USCi工程总监表示John Hostetler：“经过对SiC外延设备的市场评估，并根据使用类似的设备的成功商用SiC外延厂商的经验，我们为优质的n型和p型碳化硅外延层选择了Aixtron VP2400HW系统。”
“2400系统的通用性将有助于USCi迅速开发新的器件设计。该系统的能力可以实现高增长率，使之成为用超过100微米的厚度开发我们的下一代高电压（5-15KV）SiC器件的理想平台。Aixtron Planetary Reactors正在成为大批量SiC器件生产的标准，我们拥有2400将大大推动我们的生产工艺转移到我们的商用外延伙伴，”他继续说。
瑞典Aixtron AB副总裁兼董事总经理Frank Wischmeyer补充说：“我们的SiC Planetary Reactor技术在过去10年一直在发展。我们在SiC沉积工艺方面丰富的经验和技术诀窍显而易见适用于当前的设计。Aixtron非常高兴SiC与United Silicon Carbide携手合作，共同开发下一代SiC材料。
USCi专攻SiC器件，包括肖特基势垒二极管、JFET、BJT、固态断路器、电源�？椋约岸ㄖ�SiC集成电路。
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