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CISSOID合作开发高功率密度SiC逆变器
材料来源：化合物半导体
三相SiC电源堆栈结合了1200V SiC智能功率�？楹虯dvanced Conversion的6组低ESR/ESL DC-Link电容器
高温半导体和功率模块制造商CISSOID与NAC集团和Advanced Conversion合作，提供紧凑且优化集成的三相SiC电源堆栈，结合CISSOID的1200V SiC智能功率�？楹虯dvanced Conversion的6组低ESR/ESL DC-Link电容器。
该电源堆栈可以进一步与控制器板和液体冷却器集成，为电机驱动器的高功率密度和高效率SiC逆变器（见图）的设计提供完整的硬件和软件平台。
“直流链路是使用快速开关的大功率逆变器的关键组件，这在设计的初始阶段经常被忽视。然而，高效的快速开关宽带隙器件需要精心设计的直流链路总线拓扑结构和紧密集成的电容器，”NAC 集团产品营销总监James charlton说，他们与Advanced Conversion合作开发了一系列用于CISSOID模块的套件。
CISSOID首席技术官Pierre Delatte表示：“借助电容器套件，客户可以立即找到与我们的快速开关三相SiC IPM完美匹配的高性能电容器，从而加速他们的逆变器设计，以实现紧凑高效的电机驱动。”
CISSOID的智能功率�？�(IPM)平台集成了一个三相1200V/340A-550A SiC MOSFET功率模块和一个温度可靠栅极驱动器，可实现低开关损耗和高功率密度。该平台可以通过控制板和算法进一步增强，为电机驱动器中的SiC逆变器提供实时处理、控制和功能安全。功率模块的导通电阻范围从2.53毫欧到4.19毫欧，具体取决于额定电流值。在600V/300A时，总开关能量低至7.48mJ(Eon)和7.39mJ(Eoff)。
电源�？楹驼ぜ鞯男杓仆ü邢傅髡鹍V/dt和控制快速开关固有的电压过冲来优化IPM以实现最低开关能量。嵌入式栅极驱动器解决了与快速开关SiC晶体管相关的多项挑战：负驱动和有源米勒钳位(AMC)可防止寄生导通；去饱和检测和软关机(SSD)对短路事件做出快速而安全的反应；栅极驱动器和直流总线电压上的欠压锁定(UVLO)功能监控系统的正常运行。
Advanced Conversion的6组DC-Link电容器通过低电感母线以机械方式安装到CISSOID IPM。一组高达500µF的电容值和高达900V的额定电压可用于快速评估�；固峁┒ㄖ平饩龇桨福谙冉淖换沸伪∧さ缛萜�，非常适合“表面安装”到与开关�？榻涌诘挠呕芟呓峁股稀�
这种专利的方法与总线冷却相结合，可提供非常高的每微法拉额定安培数，以允许尽可能小的电容，同时最大限度地减少换流回路电感。使用正确的开关�？楹褪实钡牧由杓�，很容易实现小于5nH的等效串联电感值。
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