GaN Systems发布用于射频功率的ADS模型
材料来源：化合物半导体
提供高效率，成本约为当前射频功率解决方案的1/3
GaN System发布了GaN晶体管ADS模型，以便使客户在射频功率市场中易于使用，该市场传统上由昂贵的硅LDMOS和其他射频功率技术主导。
通过替换这些现有频率（通常为 13-81 MHz）的功率半导体器件，GaN Systems 表示其客户将受益于高功率输出和效率，同时缩小现有解决方案的尺寸、减少约1/3 的成本。
该公司表示，这些 ADS 模型的可用性是高频设计的一个关键因素。GaN Systems 的功率晶体管，例如其 GS66502B 和 GS66508B，已在多个应用中实现。能够以高达 100 MHz 的频率和 2kW 至 250kW 的功率水平运行，应用包括射频加热和干燥系统、高频雷达系统、二氧化碳激光器、射频除霜器、通信干扰器和等离子发生器。
GaN Systems 在功率和射频方面的专业技术使该公司在为ISM射频电源市场提供解决方案方面具有独特的优势�？突б丫揽縂aN Systems的高频技术为 6 至 27 MHz 范围的应用提供无线电力领域的解决方案。在射频功率方面，随着频率的增加，所需的工具也随之增加，需要ADS模型以确保在最终设计之前仿真结果的高可靠性。
“GaN Systems 正在射频功率领域崭露头角。我们拥有世界一流的 GaN 功率晶体管、高可靠性和应用专长的成功组合，可以通过低成本、高效率的 GaN 器件占领和彻底改变这些细分市场，”GaN Systems首席执行官Jim Witham说。
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