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EVG展示“超越摩尔”技术
材料来源：化合物半导体
EVG在圣地亚哥举行的IEEE ECTC上发表技术论文，重点介绍异质集成和晶圆级封装的新发展
EV Group (EVG) 于5月31日至6月3日在加州圣地亚哥举行的 2022年IEEE第72届电子元件与技术会议 (ECTC) 上发表了多篇论文，重点介绍其光刻解决方案在异质集成和晶圆级封装方面的新发展。
《具有微转移印刷III-V放大器的无损高速硅光子MZI开关》（第10场，新型光子封装技术——6月1日周三，下午4:45）是 EVG、Imec、光子学研究组和廷德尔（Tyndall）国家研究所的联合论文。
这篇论文描述了一种通过微转移印刷在先进的硅光子 (SiPh) 晶圆上集成 III-V 族元件的新方法——使光子集成电路中的光学增益元件得以经济地、可扩展性地集成，而无需修改既定的SiPh流程。为了实现微转移印刷，使用EVG专有的OmniSpray技术进行喷涂，将超薄粘合层涂到源晶片上，据说该技术可在具有挑战性的形状上提供出色的均匀性结果。（上图是EVG120自动抗蚀剂处理系统上的OmniSpray�？�。）
《优化PI和PBO层光刻工艺，用于高密度扇出晶圆级封装和下一代异质集成应用，采用数字驱动的无掩膜光刻》（第34场，扇出和异质集成的加工改进——6月3日星期五，下午1:55）是EVG和富士胶片电子材料公司的联合论文。
这第二篇论文使用 EVG 的新型 LITHOSCALE 无掩模曝光光刻系统评估了为扇出晶圆级封装 (FOWLP) 量身定制的高性能介电材料，该系统允许在芯片和晶圆级进行灵活设计并即时应用偏置/偏移和光学接近校正。能即时更改设计增强了最终的工艺结果，例如分辨率、通孔基脚和侧壁轮廓，而LITHOSCALE的无掩模方法避免了在对大面积芯片进行图案化时与光罩缝合相关的良率问题
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