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纳微半导体发布新产品NV6169，功率提升50%，进入电动汽车，太阳能和数据中心行业
材料来源：化合物半导体
NV6169 是最先进的纳微第三代氮化镓平台中额定功率最高的功率芯片
氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）正式发布 NV6169，这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片，可满足高功率应用，例如 400-1000 W 4K/8K 电视和显示器、下一代游戏电竞系统、500 W 太阳能微型逆变器、1.2 kW 数据中心 SMPS 和4 kW电机驱动。
氮化镓是下一代功率半导体技术，运行速度比传统硅快20倍，和传统硅充电器相比，氮化镓充电器在一半的尺寸和重量下，能实现3倍功率或3倍的充电速度。纳微半导体下一代GaNSense技术集成了对系统参数的实时、准确和快速感应，包括电流和温度的感知，实现自主�；�，和无损耗电流感应能力，实现了轻便小巧，快速，更高的功率。
45mΩ的NV6169 采用行业标准的、轻薄、低电感、8 x 8 mm PQFN 封装，导通电阻降低 36%，功率提高 50%，用于高效率、高密度的电力系统。
纳微半导体首席运营官，首席技术官兼联合创始人 Dan Kinzer 指出：“超过五千万颗纳微氮化镓功率芯片已交付给包括三星、戴尔、联想和小米在内的各级客户，与 GaN 相关的终端市场故障报告为零，GaNSense 技术能够实时、准确地检测电压、电流和温度，从而进一步提高整体系统性能。未受保护的‘分立’式氮化镓或硅功率芯片无法与纳微半导体的性能和可靠性相媲美，通过提供 NV6169，我们将业务范围扩展到数据中心、太阳能和电动汽车等高功率应用，同时凭借前所未有的20 年有限质保承诺，以加速氮化镓在性能要求更高的系统中的采用”。
NV6169 是最先进的纳微第三代氮化镓平台中额定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技术的 GaNFast 功率芯片具有行业首创，无损电流感应和最快的短路�；�，实现“检测到保护”的速度仅为 30ns，比分立解决方案快 6 倍。在电机驱动应用中，与IGBT 相比，氮化镓功率芯片可节省高达 40% 的能源，消除 30 个外部组件，并将系统效率提高 8%。
与竞争解决方案不同，NV6169 额定工作电压为 650V，额定峰值额定电压为 800V，可在瞬态事件期间稳定工作。作为真正的集成功率芯片，GaN 栅极受到全面�；�，整个器件的额定静电放电 (ESD) 规格为业界领先的 2 kV。
NV6169 可在签订 NDA后立即提供给客户，批量生产的交货时间目前为 6 至 16 周。设计人员可以使用仿真模型 (PSPICE/LTSPICE/SiMetrix)、3D 封装模型 (STP) 和应用说明 (AN-0016) 来优化下一代系统。
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）成立于2014年，是氮化镓功率芯片的行业领导者。氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制和�；ぜ稍谝黄�，为移动设备、消费电子、企业、电动汽车和新能源市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。纳微半导体拥有超过145项已经颁发或正在申请中的专利，超过5000万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片已经发货，终端市场故障率为零。2021年10月20日，纳微半导体敲响了纳斯达克的开市钟，并开始在纳斯达克交易。
纳微半导体和纳微标识是Navitas Semiconductor, Ltd.的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志都是或可能是各自所有者用于标识产品或服务的商标或注册商标。
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