EPC 和 ADI 公司合作开发 DC-DC 转换器
材料来源：化合物半导体
基于 GaN 的参考设计，使用高达 2 MHz 的开关频率实现高功率密度和低成本的 DC-DC 转换。
EPC 宣布推出 EPC9160，这是一款双输出同步降压转换器参考设计板，工作频率为 2 MHz，可将 9 V 至 24 V 的输入电压转换为 3.3 V 或 5 V 的输出电压，并为两个输出提供高达 15 A 的连续电流。由于开关频率高，转换器尺寸非常小，两个输出只有 23 mm x 22 mm，电感器高度只有 3 mm。
高密度和厚度的设计，加上2 MHz 的开关频率，使该解决方案非常适合于汽车控制台应用，其中首选 2 MHz 的开关频率，以及需要小尺寸和非常薄的外形的计算、工业、消费和电信电源系统. EPC 公司表示，其 eGaN FET 提供快速开关、高效率和小尺寸，可以满足这些前沿应用的严格功率密度要求。
EPC9160 参考设计使用 EPC2055 增强型 GaN FET 和具有集成 GaN 驱动器的 LTC7890 两相模拟降压控制器。
LTC7890 100 V 低 Iq、双通道、2相同步降压控制器经过全面优化，可驱动 EPC eGaN FET，并集成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。它提供优化的近零死区时间或可编程死区时间，以及高达3 MHz的可编程开关频率。5 uA 的静态电流（VIN = 48 V，VOUT = 5 V，仅限 CH1）可实现非常低的待机功耗和出色的轻负载效率。
EPC2055 40 V eGaN FET 在 2.5 mm x 1.5 mm 的超小尺寸内提供 3 mOhm 最大 RDS(on)、6.6 nC QG、0.7 nC QGD、1.3 nC QOSS 和零 QRR，可提供高达 29 A 的连续电流和 161A的峰值电流。优良的动态参数允许在 2 MHz 开关频率下实现非常小的开关损耗。
对于 5 V 输出和 24 V 输入，EPC9160 的效率大于 93%。除了轻负载运行模式和优化的死区时间外，该电路板还提供 UVLO、过流�；ず凸β柿己檬涑觥�
EPC 首席执行官 Alex Lidow 表示：“GaN FET 的超低开关损耗能够在2 MHz以上运行，而新的模拟控制器客户现在拥有一个能够在 2 MHz 以上运行的完整生态系统。我们很高兴与 ADI 公司合作，将其先进控制器的优势与 GaN 的性能相结合，为客户提供最高的功率密度和低组件数的解决方案，从而提高效率、增加功率密度并降低系统成本”
“ADI 公司的 LTC7890 旨在充分利用 EPC 的 eGaN FET 的高性能，来实现高功率密度解决方案，”ADI 公司高级产品营销经理 Tae Han 说，“LTC7890 提供了更高的开关频率和优化的死区时间，远高于目前市场上的解决方案，同时以非常低的功耗运行。借助这些新控制器，用户可以利用 GaN 的极快开关来实现最高的功率密度。”
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